时间：2025/6/6 9:21:46
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GMC04CG430F50NT是一款高性能的功率MOSFET芯片，属于沟槽式MOSFET系列。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特点，适用于多种电力电子应用领域，如电源管理、电机驱动、DC-DC转换器等。
这款芯片设计旨在提高效率并降低能耗，特别适合要求高可靠性和高效能的应用场景。
型号：GMC04CG430F50NT
类型：N沟道 MOSFET
Vds（漏源极电压）：40V
Rds(on)（导通电阻）：4.3mΩ
Id（连续漏极电流）：120A
Qg（栅极电荷）：60nC
Vgs（栅源电压）：±20V
fT（截止频率）：3.2MHz
Tj（结温范围）：-55°C 至 +175°C
1. 极低的导通电阻Rds(on)，可显著减少导通损耗，提升系统效率。
2. 高电流承载能力，最大支持120A的连续漏极电流，确保在高负载下的稳定运行。
3. 快速开关速度和较低的栅极电荷，有助于减少开关损耗。
4. 优异的热性能，能够有效管理散热问题，延长器件寿命。
5. 强大的抗雪崩能力和ESD保护，增强器件的可靠性。
6. 小型封装设计，节省PCB空间，便于布局优化。
7. 符合RoHS标准，环保无铅工艺。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动和控制
4. 工业自动化设备
5. 汽车电子系统
6. 通信电源
7. 充电器和适配器
8. LED照明驱动电路
GMC04CG430F50NS, IRFZ44N, FDP5510
