时间：2025/8/25 4:22:57
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HGTP1N120BN 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的高电压、高频率绝缘栅双极型晶体管（IGBT），适用于需要高效能和高可靠性的电源转换应用。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降特性，使其在高电压和高电流条件下表现出色。HGTP1N120BN 主要用于诸如感应加热、电机控制、电源供应器和UPS系统等应用。
集电极-发射极击穿电压：1200V
集电极电流（连续）：1.5A
集电极电流（峰值）：3A
栅极-发射极电压：±20V
导通压降：2.1V（典型值）@ 1.5A
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220AB
HGTP1N120BN 是一款专为高压和高频应用设计的IGBT，其最大集电极-发射极电压为1200V，能够在严苛的工作环境下保持稳定性能。该器件的连续集电极电流能力为1.5A，并可承受高达3A的瞬时峰值电流，适用于高动态负载的应用场景。
其栅极-发射极电压范围为±20V，确保了栅极控制的稳定性和可靠性。导通压降典型值为2.1V，在1.5A的工作电流下具有较低的导通损耗，提高了整体系统的效率。
该器件采用TO-220AB封装，具备良好的散热性能和机械稳定性，适用于多种电源转换系统。其工作温度范围为-55°C至+150°C，表现出良好的热稳定性，适用于工业级和汽车电子应用。
HGTP1N120BN 具有快速开关能力，适用于高频工作环境，能够有效减少开关损耗并提高系统响应速度。该器件还具备良好的短路耐受能力，增强了系统的安全性和可靠性。
HGTP1N120BN 主要应用于需要高压和高频工作的电力电子系统中。例如，在感应加热设备中，该器件可以提供快速开关和高效能转换，从而提升加热效率；在电机驱动和变频器中，它可以实现精确的电流控制和高效的功率转换。
此外，该器件还适用于不间断电源（UPS）、开关电源（SMPS）和光伏逆变器等电源系统，确保在高压环境下实现稳定的能量转换。
在工业自动化和汽车电子系统中，HGTP1N120BN 也常用于各种功率控制模块，如电能质量调节器、电焊机和高功率LED驱动器等。其高可靠性和宽工作温度范围使其成为恶劣工业环境下的理想选择。
SGW25N120HD, FGH20N120ANTD
