时间：2025/7/12 0:28:10
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GMC04CG360J50NT是一款高性能的MOSFET功率晶体管，主要应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，适合需要高效能和可靠性的应用环境。
该型号属于沟道增强型场效应晶体管系列，能够提供稳定的电流传输能力和快速的动态响应，从而在高频和大功率场景下表现出色。
最大漏源电压：600V
最大连续漏极电流：18A
最大脉冲漏极电流：90A
栅源开启电压：2.5V~4.5V
导通电阻：0.08Ω
总功耗：270W
工作温度范围：-55℃~175℃
GMC04CG360J50NT采用了超结技术设计，显著降低了导通电阻，同时优化了开关损耗。其封装形式为TO-247，具备良好的散热能力，适合长时间运行的高功率应用场景。此外，该器件还具有以下特点：
1. 极低的Qg（栅极电荷），有助于减少开关过程中的能量损失。
2. 内置反向恢复二极管，提升了系统效率并降低了电磁干扰。
3. 提供短路保护功能，在异常条件下可有效防止器件损坏。
4. 符合RoHS标准，环保且适用于各种工业规范要求。
这款功率MOSFET广泛应用于各类电力电子设备中，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）和不间断电源（UPS）。
2. 工业自动化中的伺服驱动器和变频器。
3. 新能源领域，例如太阳能逆变器和电动汽车充电系统。
4. 大功率LED驱动电路及家用电器中的电机控制部分。
GMC04CG360J50NT凭借其卓越的性能表现，成为这些领域中的理想选择。
GMC04CG360K50NT
FDP18N60
IRFB4110TRPBF
