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SUD50N04-05L-E3 发布时间 时间:2025/6/25 13:40:08 查看 阅读:7

SUD50N04-05L-E3 是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-263-3封装形式。该器件主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。其低导通电阻和快速开关特性使得它在高效率功率转换应用中表现出色。
  该型号的后缀E3表示其符合特定的工业标准,具有更高的可靠性和稳定性。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:50A
  导通电阻:4mΩ
  栅极电荷:10nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

SUD50N04-05L-E3具备非常低的导通电阻,有助于降低传导损耗,提升系统效率。同时,其快速的开关性能使其能够适应高频工作环境。此外,该器件采用了先进的工艺技术,确保了在极端温度条件下的稳定运行。
  它的封装形式TO-263-3(D2PAK)具有良好的散热性能,并且易于表面贴装,适合大规模自动化生产。
  该器件还具备较高的雪崩耐量,增强了在异常工作条件下的鲁棒性。

应用

这款功率MOSFET广泛用于各种电力电子设备中,包括但不限于开关电源适配器、电信设备中的DC-DC转换模块、工业自动化控制中的电机驱动电路以及消费类电子产品中的负载开关功能。由于其出色的电气特性和可靠性,也常被用作高性能逆变器的核心元件之一。

替代型号

SUD50N04L-E3
  SUD50N04-05L

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SUD50N04-05L-E3参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C115A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.4 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs135nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5600pF @ 25V
  • 功率 - 最大136W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TO-252,(D-Pak)
  • 包装带卷 (TR)