时间：2025/5/15 11:48:08
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GMC04CG360J100NT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC该芯片采用先进的沟槽式工艺制造，具有低导通电阻和高效率的特点，能够显著降低功率损耗并提高系统性能。
这款功率 MOSFET 具有极佳的热稳定性和可靠性，适用于多种工业和消费类电子设备中。
型号：GMC04CG360J100NT
类型：N-Channel MOSFET
Vds（漏源电压）：600V
Rds(on)（导通电阻）：0.28Ω
Id（连续漏极电流）：10A
封装形式：TO-220
功耗：100W
工作温度范围：-55°C to +150°C
栅极电荷：50nC
输入电容：1200pF
总电荷：85nC
GMC04CG360J100NT 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），确保在高电流条件下提供高效的功率转换。
2. 高击穿电压 (600V)，使其适合于高压应用环境。
3. 快速开关速度，减少了开关损耗并提高了整体效率。
4. 稳定的电气性能和高可靠性，即使在恶劣的工作条件下也能保持出色的性能。
5. 封装设计优化了散热性能，便于集成到各种复杂的应用场景中。
GMC04CG360J100NT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和适配器设计。
2. 各种类型的 DC-DC 转换器和逆变器。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 消费类电子产品如家用电器中的功率开关组件。
GMC04CG360J120NT, IRFZ44N, FQP17N25
