时间：2025/5/30 21:46:54
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GMC04CG270J100NT 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等领域，具有低导通电阻 (Rds(on)) 和高效率的特点，适用于需要高性能功率转换的场合。
该型号采用 LFPAK56 封装（也称为 D2PAK 或 Power56），具有出色的散热性能和较低的封装寄生电感，使其在高频应用中表现优异。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：40A
导通电阻：2.7mΩ
栅极电荷：95nC
反向恢复时间：85ns
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
GMC04CG270J100NT 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够有效降低功率损耗，提升系统效率。
2. 高额定电流能力，适合大功率应用场景。
3. 较低的栅极电荷和输出电容，有助于减少开关损耗并提高开关频率。
4. 紧凑且高效的 LFPAK56 封装设计，优化了 PCB 布局并提高了热管理能力。
5. 宽泛的工作温度范围 (-55℃ 至 175℃)，确保在极端环境下仍能可靠运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
这款 MOSFET 可用于多种电力电子领域，包括但不限于以下应用：
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 工业设备和汽车电子中的负载开关和保护电路。
5. 太阳能逆变器和储能系统的功率管理模块。
其高效、耐用的设计使它成为许多高要求应用的理想选择。
GMC04CG270J100HT, NTBG270N10MSL, IRFZ44N
