时间：2025/7/10 20:32:57
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GMC04CG200J100NT是一款高功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用。该器件采用了先进的沟槽式结构设计，具备低导通电阻和高效率的特性，适合要求高电流和高频工作的应用场景。
该型号属于GMC系列，具有优秀的热性能和电气稳定性，适用于工业级和消费级电子设备中对功率管理有较高要求的产品。
型号：GMC04CG200J100NT
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源极电压(Vds)：200V
连续漏极电流(Id)：100A
栅极阈值电压(Vgs(th))：3.5V
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ（最大值）
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
GMC04CG200J100NT采用先进的制造工艺，使其在高频和高负载条件下表现优异。以下是其主要特性：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，有效降低功率损耗。
2. 高额定漏源极电压(Vds)，适合高压环境下的使用。
3. 大电流承载能力，可满足高功率需求。
4. 快速开关速度，优化了开关损耗。
5. 具备良好的热稳定性和抗浪涌能力。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
GMC04CG200J100NT的这些特点使其成为高功率密度应用的理想选择。
GMC04CG200J100NT广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. 电机驱动电路中的功率控制元件。
3. DC-DC转换器中的同步整流管。
4. 工业逆变器和不间断电源(UPS)系统。
5. 蓄电池充电器及太阳能逆变器。
由于其强大的性能和可靠性，这款MOSFET特别适合需要高效能和高可靠性的场合。
GMC04CG200J120NT
GMC04CG200J150NT
IRFP260N
FQP18N20C
