时间：2025/5/16 15:55:12
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GMC04CG181G50NT是一款由Vishay生产的功率MOSFET芯片，采用TrenchFET技术设计，旨在提高开关效率和降低导通电阻。该器件属于N沟道增强型MOSFET，适用于高频开关应用以及需要低导通损耗的场景。其封装形式为TO-263-3（D2PAK），具有良好的散热性能，适合高功率密度的应用环境。
这款芯片的主要特点包括极低的导通电阻、较高的电流处理能力和出色的开关性能，能够在各种工业和消费类电子产品中提供高效可靠的解决方案。它广泛用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电源管理等应用领域。
型号：GMC04CG181G50NT
品牌：Vishay
类型：N沟道功率MOSFET
封装：TO-263-3 (D2PAK)
漏源极电压(Vds)：60V
连续漏极电流(Id)：78A
栅极-源极电压(Vgs)：±20V
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ（在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：190W
工作温度范围：-55°C至+175°C
开关速度：快速开关
GMC04CG181G50NT采用了先进的TrenchFET Gen IV技术，具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，确保了高效的功率传输和较低的热损耗。
2. 高额定电流能力（78A），可以满足大功率应用场景的需求。
3. 快速开关性能，能够有效减少开关损耗并提高系统效率。
4. 宽广的工作温度范围（-55°C至+175°C），适应多种恶劣环境下的使用。
5. 封装形式（TO-263-3/D2PAK）具有优秀的散热性能，有助于提升整体系统的可靠性。
6. 符合RoHS标准，环保且支持无铅焊接工艺。
181G50NT成为众多高要求应用的理想选择，例如汽车电子、工业控制和通信设备中的功率转换模块。
GMC04CG181G50NT适用于以下典型应用场景：
1. DC-DC转换器：作为主功率开关或同步整流器件，提供高效稳定的电压转换功能。
2. 负载开关：用于动态调节负载状态，确保电路运行的安全性和稳定性。
3. 电机驱动：在电动车窗、风扇和其他小型电机控制系统中发挥重要作用。
4. 电源管理：实现高效的电源分配与管理，支持笔记本电脑适配器、服务器电源等复杂供电需求。
5. 开关模式电源(SMPS)：在各种类型的开关电源中作为核心功率器件，提供高效率的能量转换。
由于其卓越的性能和可靠性，该芯片被广泛应用于消费类电子产品、工业设备、通信基础设施以及汽车电子等领域。
GMC04CG181G50NT-A, GMC04CG181G50NT-B
