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GMC04CG180G25NT 发布时间 时间:2025/7/12 0:34:16 查看 阅读:15

GMC04CG180G25NT 是一款由 GeneSiC Semiconductor 公司生产的碳化硅 (SiC) MOSFET 功率晶体管。这款器件采用先进的 SiC 技术,具有高效率、高开关速度和高耐压的特点,适用于各种高性能功率转换应用。
  GeneSiC 的碳化硅 MOSFET 系列以其卓越的耐用性和可靠性而闻名,能够承受高电压和高频操作环境。GMC04CG180G25NT 特别适合在工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统和电机驱动等领域中使用。

参数

额定电压:1800V
  额定电流:25A
  Rds(on)(典型值):120mΩ
  栅极电荷(Qg):90nC
  输入电容(Ciss):3600pF
  输出电容(Coss):150pF
  导通延迟时间(td(on)):25ns
  关断延迟时间(td(off)):20ns
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:TO-247-3

特性

GMC04CG180G25NT 采用碳化硅技术制造,与传统硅基 MOSFET 相比,具备显著的优势:
  1. 高耐压能力,可以稳定运行在高达 1800V 的电压环境下。
  2. 超低导通电阻 Rds(on),减少导通损耗,提升整体效率。
  3. 快速开关性能,支持高频操作,从而减小无源元件的尺寸和重量。
  4. 高温适应性,能够在最高 175°C 的结温下可靠运行。
  5. 减少电磁干扰(EMI),通过降低开关节点的振荡来优化系统设计。
  6. 提供出色的雪崩能力和抗浪涌能力,增强系统稳健性。

应用

GMC04CG180G25NT 广泛应用于以下领域:
  1. 工业电源设备,包括不间断电源(UPS)和直流电源供应。
  2. 新能源发电系统中的太阳能逆变器和风能转换器。
  3. 电动汽车及其相关基础设施,例如车载充电器和快速充电桩。
  4. 高效电机驱动和变频器,用于工业自动化和家电控制。
  5. 任何需要高压、高频和高效工作的功率转换场景。

替代型号

GMC04CG180G25LT

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