时间：2025/9/14 0:57:15
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PMEG200G20ELRX是一款由Nexperia（安世半导体）制造的功率MOSFET，属于增强型硅栅极功率晶体管。该器件设计用于高效率、高频率的电源转换应用，例如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电机控制。PMEG200G20ELRX采用Trench沟槽工艺制造，提供较低的导通电阻和开关损耗，适合需要高性能和高可靠性的应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：20A
最大漏源电压（VDS）：200V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为42mΩ @ VGS=10V
功率耗散（Ptot）：83W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-220
安装类型：通孔（Through Hole）
PMEG200G20ELRX具有多个优异的电气和热性能特性，适用于多种高性能电源管理应用。其采用先进的Trench MOSFET技术，使得器件在导通状态下具有非常低的RDS(on)，从而减少了导通损耗并提高了效率。此外，该MOSFET的栅极结构设计优化，确保了快速的开关性能，有助于降低开关损耗，适用于高频操作。PMEG200G20ELRX的封装采用TO-220标准形式，具备良好的热管理能力，能够在高功率应用中有效散热。其最大漏极电流为20A，最大漏源电压为200V，使其适用于中高功率的电源系统。此外，PMEG200G20ELRX具有较高的栅极电压容限（±20V），增强了其在复杂电路环境中的稳定性和抗干扰能力。
该器件的可靠性也非常高，符合工业标准的温度范围（-55°C ~ +175°C），可在极端环境条件下稳定运行。PMEG200G20ELRX还具备良好的雪崩能量承受能力，能够有效防止在开关过程中因电压尖峰而损坏。其封装设计具有较高的机械强度和耐久性，适合各种工业应用。综合来看，PMEG200G20ELRX是一款性能优异、稳定性高、适用于多种高功率应用的功率MOSFET。
PMEG200G20ELRX广泛应用于各种电源管理和功率转换系统。典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器、UPS不间断电源系统以及各种工业控制设备。此外，它还可用于高效率的电源适配器、LED照明驱动器和家用电器的电源模块中。由于其高效率和良好的热性能，PMEG200G20ELRX在需要高可靠性和高性能的电源系统中表现出色。
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"PMEG2010CELRX",
"IPB045N20N3",
"PFD20N20LH",
"STD20NM20T4"
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