时间：2025/5/20 16:49:09
阅读：4
GMC04CG151K50NT 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的沟道型 MOSFET 功率晶体管。该器件采用 TOLL 封装，具有高效率和低导通电阻的特性，适用于各种高频开关和功率转换应用。
该型号设计用于满足工业和汽车领域对高效能、可靠性和紧凑设计的需求，其耐压能力为 650V，适用于需要较高电压操作的场景。
最大漏源极电压：650V
最大连续漏极电流：50A
RDS(on)（典型值）：151mΩ
栅极电荷：238nC
总热阻（结到壳）：0.2°C/W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
GMC04CG151K50NT 提供了卓越的性能表现，其主要特性包括：
1. 高效开关性能：得益于优化的硅片设计和先进的制造工艺，该器件能够在高频条件下提供高效的开关性能。
2. 超低导通电阻：RDS(on) 的典型值仅为 151mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统效率。
3. 坚固耐用：具备出色的雪崩能力和抗浪涌能力，确保在恶劣环境下仍能稳定运行。
4. 紧凑型封装：TOLL 封装设计能够有效节省 PCB 空间，同时支持更高的功率密度。
5. 宽温范围支持：工作温度范围从 -55°C 到 +175°C，使其适用于极端环境条件下的应用。
GMC04CG151K50NT 广泛应用于以下领域：
1. 工业电源和电机驱动器：如变频器、伺服驱动器等。
2. 太阳能逆变器：用于光伏系统的 DC/AC 转换。
3. 不间断电源（UPS）：实现高效的能量转换和保护功能。
4. 电动汽车充电站：支持快速充电技术，提高充电效率。
5. 开关模式电源（SMPS）：提供高效率和高功率密度解决方案。
GMC04CG151K50NQ, GMC04CG151K50NL
