时间：2025/9/14 18:14:27
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BUK7K23-80EX是一款由Nexperia（原Philips Semiconductors）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效能功率开关应用，具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性。该MOSFET采用先进的Trench沟槽技术，提供了出色的电气性能和可靠性，适用于工业控制、电源管理、汽车电子和消费类电子等多种领域。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流：110A
最大漏源电压：80V
最大栅源电压：±20V
导通电阻(RDS(on))：8.5mΩ（典型值）
功耗：250W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-220AB
BUK7K23-80EX的主要特性之一是其非常低的导通电阻（RDS(on)），这有助于减少功率损耗并提高效率。该器件在80V的漏源电压下能够承受高达110A的连续漏极电流，使其适用于高功率应用场景。此外，该MOSFET具有良好的热性能，能够在高温环境下稳定运行，增强了系统的可靠性。
这款MOSFET还具备快速开关特性，降低了开关损耗，适用于高频开关应用。其±20V的栅源电压耐受能力使得它可以兼容多种驱动电路，包括常见的MOSFET驱动IC和微控制器输出。TO-220AB封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装在散热片上，进一步提升其热管理能力。
此外，BUK7K23-80EX采用了Nexperia的Trench沟槽技术，优化了器件的电气性能，包括更低的导通压降和更高的电流密度。这种技术也提高了器件的抗雪崩能力，使其在突发过载条件下仍能保持稳定运行。
BUK7K23-80EX广泛应用于各种高功率和高频开关系统中。常见的应用包括DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统、电源供应器、不间断电源（UPS）、逆变器以及汽车电子系统中的功率控制模块。由于其优异的导通特性和热稳定性，该器件也非常适合用于需要高效能和高可靠性的工业自动化控制设备中。在汽车应用中，它可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）以及车载逆变器等关键功率管理模块。
BUK7K23-80E，BUK7K25-80E，IRF1405，SiR144DP
