GMC04CG130J50NT 是一款高功率、高频应用的碳化硅 (SiC) MOSFET 芯片,采用先进的 SiC 技术制造。它具备低导通电阻、高速开关和耐高压等特性,非常适合用于工业电源、电动汽车充电设备、太阳能逆变器以及其他高效能电力电子系统中。该芯片通过优化设计减少了开关损耗并提高了整体效率。
额定电压:1200V
额定电流:50A
导通电阻:15mΩ
栅极电荷:250nC
开关频率范围:高达500kHz
结温范围:-55℃至175℃
1. GMC04CG130J50NT 采用了碳化硅材料,使得其具有比传统硅基器件更高的击穿场强和更低的导通电阻。
2. 支持高频操作,可显著减少磁性元件体积及系统整体尺寸。
3. 内置反并联二极管,有助于降低开关噪声并简化电路设计。
4. 在高温环境下依然保持良好的稳定性和可靠性,适用于严苛的工作条件。
5. 具有短路保护功能,增强了系统的安全性。
这款芯片广泛应用于以下领域:
1. 工业电机驱动和伺服系统中的功率转换模块。
2. 新能源汽车的车载充电器和DC-DC转换器。
3. 太阳能光伏逆变器的核心功率器件。
4. 不间断电源(UPS)和通信基站电源中的高频变换电路。
5. 高性能开关模式电源(SMPS)和PFC(功率因数校正)电路。
GMC04CG120K60NT, C2M0080120D, SCT2080KE