GMC04CG121G50NT 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,采用先进的制造工艺设计,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电源等领域。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够有效提升系统的效率与稳定性。
这款功率 MOSFET 的封装形式为 DPAK(TO-252),适合表面贴装技术(SMT)应用,同时具备良好的电气特性和可靠性,非常适合对效率和散热有较高要求的场景。
型号:GMC04CG121G50NT
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(VDS):60V
最大栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):38A
导通电阻(RDS(on)):4.5mΩ(典型值,VGS=10V时)
总功耗(PD):72W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:DPAK(TO-252)
GMC04CG121G50NT 具备以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(RDS(on)),可显著降低导通损耗,提高系统效率。
2. 高速开关性能,适用于高频开关电源和电机驱动等应用。
3. 优秀的热稳定性,能够在高温环境下保持可靠的运行。
4. 强大的浪涌电流承受能力,确保在瞬态条件下不会损坏。
5. 小型化封装,适合高密度 PCB 设计,同时支持自动化生产。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
GMC04CG121G50NT 的这些特性使其成为工业控制、消费电子和汽车电子领域中的理想选择。
GMC04CG121G50NT 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和主开关。
2. 电池管理系统(BMS)中的负载切换和保护电路。
3. 电机驱动器中的功率级控制,包括直流无刷电机(BLDC)和步进电机。
4. 工业自动化设备中的功率转换和驱动模块。
5. 汽车电子系统中的负载切换和 DC-DC 转换。
6. 其他需要高效功率控制和快速响应的应用场景。
GMC04CG121G50NTR, IRFZ44N, FDP5500