GMC04CG100C50NT是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高效率的特点,能够显著降低系统功耗并提升整体性能。
此型号属于沟道增强型MOSFET系列,适用于中高功率应用场合,其卓越的电气特性和可靠性使其成为许多工业和消费电子产品的理想选择。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:50A
导通电阻:4mΩ
栅极电荷:80nC
开关速度:超快恢复
工作温度范围:-55℃至175℃
GMC04CG100C50NT具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在额定条件下仅为4mΩ,从而降低了导通损耗。
2. 快速开关性能,适合高频应用环境。
3. 高度稳定的电气参数,在宽温度范围内表现优异。
4. 优化的热设计,确保在大电流工作时拥有良好的散热性能。
5. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。
6. 提供出色的抗电磁干扰能力,适应复杂的工作环境。
该芯片适用于多种应用场景,包括但不限于:
1. 开关模式电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机控制与驱动
4. 工业自动化设备
5. 汽车电子系统
6. 充电器及适配器
GMC04CG100C50NT凭借其高效能和高可靠性,在这些领域中表现出色。
GMC04CG100C50N, IRF840, STP100N10F5