DE04192Y30 时间：2025/9/6 8:55:47 阅读：7

DE04192Y30 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET晶体管。该器件采用先进的沟槽式功率MOSFET技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高效率和优异的热性能，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和马达控制等应用。DE04192Y30是一款N沟道增强型MOSFET，封装形式为PowerFLAT 5x6，具有良好的散热性能，适合高功率密度设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：30V
　　最大漏极电流(ID)：40A
　　导通电阻(RDS(on))：5.3mΩ（典型值）
　　栅极电荷(Qg)：43nC
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6

特性

DE04192Y30 MOSFET采用了先进的沟槽式功率MOSFET技术，使得其在导通状态下的电阻非常低，从而降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件的导通电阻RDS(on)典型值仅为5.3mΩ，使其在高电流应用中表现尤为出色。此外，该MOSFET的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高动态响应速度。
　　DE04192Y30采用PowerFLAT 5x6封装，这种封装形式具有良好的热性能和较小的封装体积，非常适合空间受限的应用场景。其封装设计能够有效降低热阻，提升散热效率，确保器件在高功率负载下依然保持稳定工作。
　　此外，该MOSFET具有较高的电流承载能力，额定漏极电流可达40A，适用于需要大电流驱动的场合，如电源管理模块、DC-DC转换器和电机驱动电路等。其工作温度范围为-55°C至150°C，适应各种严苛的环境条件，确保长期稳定运行。

应用

DE04192Y30广泛应用于各种电源管理系统中，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统（BMS）。在这些应用中，DE04192Y30凭借其低RDS(on)和高电流能力，能够显著提高系统效率并减少热量产生。
　　在工业自动化和电机控制领域，DE04192Y30可用作高边或低边开关，用于控制电机、继电器和执行机构。其快速开关特性和低导通损耗使其成为高频率PWM控制的理想选择。
　　此外，该MOSFET也适用于服务器电源、电信设备和嵌入式系统中的功率管理模块，提供高效、可靠的电源解决方案。由于其封装紧凑且热性能优良，DE04192Y30也常用于消费类电子产品，如笔记本电脑、平板电脑和高性能电源适配器中。