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GMC02CGR75B50NT 发布时间 时间:2025/7/2 14:35:36 查看 阅读:24

GMC02CGR75B50NT 是一种高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于功率半导体器件,广泛应用于电力电子领域。该型号具有高耐压、低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于开关电源、电机驱动、逆变器等应用场合。
  该芯片采用 TO-263 封装形式,具备优良的散热性能,能够满足较高功率需求的应用环境。

参数

最大漏源电压:75V
  连续漏极电流:50A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极电荷:49nC
  反向恢复时间:25ns
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

GMC02CGR75B50NT 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低功率损耗并提高系统效率。
  2. 快速的开关速度,减少开关损耗,适合高频应用场景。
  3. 高额定电流和电压能力,确保其能够在严苛条件下稳定运行。
  4. 紧凑的封装设计,便于 PCB 布局和安装。
  5. 良好的热稳定性,支持长时间高温运行,增强了器件的可靠性。

应用

GMC02CGR75B50NT 主要应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS),包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动电路,用于工业自动化和家用电器中的无刷直流电机控制。
  3. 太阳能逆变器和 UPS 系统,提供高效的能量转换功能。
  4. 电动汽车和混合动力汽车的动力系统,作为关键的功率器件。
  5. 各类负载开关和保护电路,确保系统的安全性和稳定性。

替代型号

GMC02CGQ75B50NT, IRF7729PbF, FDP057N06L