时间：2025/7/2 14:35:36
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GMC02CGR75B50NT 是一种高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于功率半导体器件，广泛应用于电力电子领域。该型号具有高耐压、低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于开关电源、电机驱动、逆变器等应用场合。
该芯片采用 TO-263 封装形式，具备优良的散热性能，能够满足较高功率需求的应用环境。
最大漏源电压：75V
连续漏极电流：50A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：49nC
反向恢复时间：25ns
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
GMC02CGR75B50NT 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于降低功率损耗并提高系统效率。
2. 快速的开关速度，减少开关损耗，适合高频应用场景。
3. 高额定电流和电压能力，确保其能够在严苛条件下稳定运行。
4. 紧凑的封装设计，便于 PCB 布局和安装。
5. 良好的热稳定性，支持长时间高温运行，增强了器件的可靠性。
GMC02CGR75B50NT 主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)，包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动电路，用于工业自动化和家用电器中的无刷直流电机控制。
3. 太阳能逆变器和 UPS 系统，提供高效的能量转换功能。
4. 电动汽车和混合动力汽车的动力系统，作为关键的功率器件。
5. 各类负载开关和保护电路，确保系统的安全性和稳定性。
GMC02CGQ75B50NT, IRF7729PbF, FDP057N06L
