GMC02CG180J50NT是一款高性能的MOSFET功率晶体管,主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能,适合对效率和可靠性要求较高的电路设计。
这款功率MOSFET属于N沟道增强型器件,具有极低的Rds(on)(导通电阻),从而减少导通损耗并提高整体系统效率。其封装形式为TO-247-3,适合表面贴装或通孔安装,能够有效提升散热性能。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:50A
导通电阻:18mΩ
栅极电荷:105nC
总功耗:320W
工作温度范围:-55℃ to +175℃
1. 高耐压能力,支持高达650V的工作电压,适用于多种高压应用场景。
2. 极低的导通电阻,仅为18mΩ,显著降低传导损耗,提高能效。
3. 快速开关性能,栅极电荷较小,有助于降低开关损耗。
4. 优秀的热稳定性,能够在极端温度范围内正常工作。
5. TO-247-3封装提供良好的散热路径,确保长期稳定运行。
6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动控制
4. 太阳能逆变器
5. 电池管理系统(BMS)
6. 工业自动化设备中的负载切换
GMC02CG180J50LDT, IRFP260N, STP50NK06Z