时间：2025/7/5 0:52:23
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GMC02CG180J50NT是一款高性能的MOSFET功率晶体管，主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用领域。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能，适合对效率和可靠性要求较高的电路设计。
这款功率MOSFET属于N沟道增强型器件，具有极低的Rds(on)（导通电阻），从而减少导通损耗并提高整体系统效率。其封装形式为TO-247-3，适合表面贴装或通孔安装，能够有效提升散热性能。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：50A
导通电阻：18mΩ
栅极电荷：105nC
总功耗：320W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
1. 高耐压能力，支持高达650V的工作电压，适用于多种高压应用场景。
2. 极低的导通电阻，仅为18mΩ，显著降低传导损耗，提高能效。
3. 快速开关性能，栅极电荷较小，有助于降低开关损耗。
4. 优秀的热稳定性，能够在极端温度范围内正常工作。
5. TO-247-3封装提供良好的散热路径，确保长期稳定运行。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动控制
4. 太阳能逆变器
5. 电池管理系统（BMS）
6. 工业自动化设备中的负载切换
GMC02CG180J50LDT, IRFP260N, STP50NK06Z
