时间：2025/8/9 19:00:52
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K2769是一款常用的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、电机控制、DC-DC转换器以及各种高功率电子设备中。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性，适用于高效率、高频率的工作环境。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：900V
栅源电压(Vgs)：±30V
漏极电流(Id)：12A（连续）
导通电阻(Rds(on))：典型值为0.35Ω
功耗(Pd)：125W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220、TO-247等
K2769的主要特性包括高耐压能力（Vds高达900V），适用于高压应用环境。其导通电阻较低，有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具备良好的热稳定性和高功率耗散能力，能够在较恶劣的条件下稳定工作。K2769的栅极驱动电压范围较宽，支持灵活的驱动电路设计，适用于多种开关应用场合。其封装形式多样，便于在不同电路中进行安装和散热处理。
K2769常用于开关电源（SMPS）中的功率开关，如反激式和正激式变换器；也适用于电机控制电路、电子镇流器、DC-DC转换器以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外，它还可用于高电压负载的开关控制，如电灯、加热元件等。
K2647, K2837, IRF840, IRF740
