GMC02CG180F50NT 是一款由 GeneSiC 生产的碳化硅 (SiC) MOSFET 功率晶体管。该器件利用先进的碳化硅技术,具有高效率、高温运行能力和快速开关性能,适用于各种高性能功率转换和逆变应用。
这种 SiC MOSFET 主要用于工业、可再生能源和汽车领域,能够在高频和高压条件下保持稳定的性能。其设计旨在减少系统中的能量损耗,并提升整体可靠性。
额定电压:1800V
额定电流:50A
导通电阻:9.6mΩ
栅极电荷:73nC
反向恢复时间:40ns
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
GMC02CG180F50NT 的主要特性包括:
1. 高电压耐受能力,适合高达 1800V 的应用场景。
2. 极低的导通电阻(9.6mΩ),有助于降低导通损耗并提高能效。
3. 快速的开关速度,减少了开关损耗,提高了高频下的性能。
4. 超低的栅极电荷量(73nC),简化了驱动电路设计。
5. 支持宽温度范围(-55℃ 至 +175℃),适应恶劣的工作环境。
6. 碳化硅材料具备更高的热传导性,增强了散热性能。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 太阳能逆变器和其他可再生能源发电系统。
2. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电源管理模块。
3. 工业电机驱动和变频器控制。
4. 不间断电源 (UPS) 和其他高性能电源设备。
5. 高频 DC/DC 转换器和 AC/DC 整流电路。
6. 充电桩等需要高效功率转换的应用场景。
GMC02CG170F50NT
GMC02DG180F50NT