时间：2025/9/4 1:13:04
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GMA103A 是一款由日本东芝（Toshiba）公司推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频率开关应用和功率放大电路中。该器件采用先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于电源转换器、DC-DC转换器、电机控制以及汽车电子等功率管理系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：100V
最大栅源电压（VGS）：±20V
最大连续漏极电流（ID）：80A
导通电阻（RDS(on)）：最大值为2.9毫欧（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：300W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-247
GMA103A 采用先进的沟槽式MOSFET结构，具有极低的导通电阻，有助于降低功率损耗并提高系统效率。该器件在高频率工作条件下表现出色，能够实现快速的开关响应，从而减少开关损耗，提高整体系统性能。此外，GMA103A 的封装设计具备良好的散热能力，适用于高功率密度应用。
GMA103A 的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，能够在常见的10V栅极电压下完全导通，简化了驱动电路的设计。同时，该器件具有较高的雪崩能量耐受能力，增强了在高压和高电流条件下的可靠性与稳定性。
为了提升在高温环境下的工作表现，GMA103A 采用了优化的热管理结构，确保在高负载条件下仍能维持稳定的性能。这种特性使其特别适用于需要高可靠性的工业控制、电动汽车（EV）充电系统以及太阳能逆变器等应用领域。
GMA103A 主要应用于各种功率电子系统，包括但不限于：高频率DC-DC转换器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、电源供应器、UPS不间断电源、工业自动化设备、电动汽车充电器以及太阳能逆变器等。由于其优异的开关性能和高可靠性，GMA103A 在需要高效能功率管理的场合中表现出色。
TKA100E10CP1AG, IRFP4468PBF
