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DTC144WET1 发布时间 时间:2025/7/10 5:06:33 查看 阅读:3

DTC144WET1是一种基于氮化镓(GaN)技术的高效功率开关器件,广泛应用于高频电源转换和开关模式电源(SMPS)领域。该芯片结合了低导通电阻和快速开关速度的特点,能够在高频率下提供出色的效率和性能。其封装形式为增强型表面贴装设计,适合自动化生产和高密度电路板布局。

参数

型号:DTC144WET1
  类型:GaN功率晶体管
  最大漏源电压:650V
  最大连续漏极电流:14A
  导通电阻(典型值):40mΩ
  栅极-源极电压(开启/关闭):+6V/-4V
  最大工作结温:175°C
  封装形式:TO-247-3L
  开关频率范围:高达5MHz

特性

DTC144WET1采用了先进的氮化镓材料,具备极低的导通电阻和极短的开关时间,这使得它非常适合用于高频应用场合。相比传统的硅基MOSFET,该器件具有更低的寄生电容和更高的能效表现。
  此外,其耐热性能优秀,能够在较高的工作温度范围内保持稳定运行。该芯片还集成了过流保护和过温保护功能,从而提升了系统的可靠性。同时,其紧凑的封装形式简化了PCB设计并降低了整体系统成本。

应用

DTC144WET1主要应用于高性能电源转换设备中,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. 太阳能微型逆变器
  3. 数据中心电源模块
  4. 电动汽车充电装置
  5. 高频DC-DC转换器
  由于其卓越的高频特性和效率优势,这款芯片也常被用于需要小型化、轻量化的设计场景。

替代型号

DTC144GEW1
  GXT144N65W
  STGAP140

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DTC144WET1参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)47k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)22k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)80 @ 5mA,10V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)250mV @ 300µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大200mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-75,SOT-416
  • 供应商设备封装SC-75,SOT-416
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DTC144WET1OS