容量：256Kbit
　　组织方式：32K x 8
　　电源电压：3.3V或5V兼容
　　访问时间：10ns
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　封装形式：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　接口类型：并行异步接口
　　最大工作频率：100MHz（对应10ns访问时间）

GM76U256CLLT-10DR 是一款专为高速数据存取应用而设计的静态随机存取存储器（SRAM）。其核心容量为256Kbit，以32K x 8的组织方式排列，适合存储临时数据、缓存信息或用于微控制器系统中的高速存储需求。
　　这款SRAM采用CMOS制造工艺，具有低功耗和高稳定性的特点，即使在高频率运行状态下也能保持较低的能耗。其访问时间仅为10ns，能够满足高速处理器或FPGA等对延迟敏感的系统要求。
　　该芯片支持3.3V或5V电源供电，具有良好的电压兼容性，使其能够在多种系统环境中稳定运行。此外，GM76U256CLLT-10DR 的工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级标准，适用于户外设备、工业自动化、通信设备等严苛环境下的应用场景。
　　在封装方面，该SRAM采用TSOP（Thin Small Outline Package）封装形式，具有较小的体积和良好的散热性能，适用于空间受限的PCB设计。其并行异步接口设计使其能够与多种主控芯片无缝连接，包括微控制器、DSP、FPGA等，广泛用于嵌入式系统、数据采集设备、网络设备等应用领域。
　　此外，该芯片具有高抗噪能力和稳定的数据保持能力，在高频读写操作下依然能够确保数据完整性，适用于对系统稳定性要求较高的工业和通信设备。

GM76U256CLLT-10DR 凭借其高速存取、低功耗和宽温特性，广泛应用于多个工业和技术领域。常见的应用包括：工业控制系统的高速缓存存储器，用于数据缓冲和临时存储；通信设备中的路由表缓存和协议处理存储器；测试测量设备中的实时数据存储模块；医疗设备中的数据采集与处理单元；网络设备如交换机、路由器中的快速数据缓冲单元；以及消费类电子产品如高端打印机、游戏外设等需要高速SRAM支持的场景。

ISSI IS62WV2568GLBLL-10BLLI、Cypress CY62148EGLLL-S70B、Microchip 23K256-I/P