容量：256Kbit (32K x 8)
　　组织方式：x8
　　电源电压：2.3V 至 3.6V
　　访问时间：55ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：TSOP
　　输入/输出电平：CMOS兼容
　　封装引脚数：52
　　最大工作频率：约18MHz
　　待机电流：最大10mA
　　读/写电流：最大160mA

GM76C256CLWT-55是一款高性能的SRAM芯片，其主要特性包括低功耗和高速操作，适用于需要快速数据访问的系统。其CMOS工艺确保了低静态功耗，而高速访问时间（55ns）使得它适用于对响应时间要求较高的场合。芯片支持CMOS兼容输入输出电平，简化了与控制器或其他逻辑器件的接口设计。此外，其宽工作电压范围（2.3V至3.6V）允许在多种电源条件下稳定运行，适用于电池供电设备和嵌入式系统。
　　该器件采用TSOP封装（52引脚），具备良好的散热性能和空间利用率，适合在紧凑型电子设备中使用。工作温度范围为-40°C至+85°C，确保了在工业级环境中的可靠性。GM76C256CLWT-55在待机模式下的功耗极低，适合对能效有要求的应用场景。其读写电流控制优化，有助于延长电池寿命并减少热量产生，提高了整体系统的稳定性和寿命。

该芯片广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、网络设备、便携式电子产品以及需要高速缓存或临时数据存储的场合。例如，在微控制器系统中作为外部数据存储器，或在数据采集设备中用于缓存实时采集的数据。其低功耗特性也使其适用于电池供电的设备，如智能仪表、无线传感器节点和手持终端设备。

IS62C256ALB-55N1、CY62148EALZ-55PC、IDT71V016SA55PI、AS6C25616A-55SLN、MSP430F5438A（内置SRAM的MCU可作为部分应用替代）