容量：256Kbit
　　位宽：x8
　　电源电压：2.3V ~ 3.6V
　　最大访问时间：55ns
　　封装形式：TSOP
　　工作温度范围：工业级 -40°C ~ +85°C
　　封装引脚数：54
　　封装尺寸：标准TSOP
　　读取电流（典型值）：10mA
　　待机电流（典型值）：10μA

GM76C256CLWFW-55 是一款高性能、低功耗的 CMOS SRAM 存储器芯片，专为需要高速数据访问和节能设计的应用而设计。该芯片支持 2.3V 至 3.6V 宽电压范围供电，使其能够适应多种电源系统设计，包括电池供电设备。其最大访问时间为 55ns，确保了在高速应用中的稳定性能。此外，该器件在待机模式下的功耗极低，典型待机电流仅为 10μA，有助于延长设备的续航时间。
　　GM76C256CLWFW-55 采用先进的 CMOS 工艺制造，具有出色的抗干扰能力和稳定性。其高速读写功能使其适用于需要频繁访问存储器的系统，如网络设备、工业控制、通信模块、数据缓存等应用场景。芯片的封装形式为 54 引脚 TSOP，符合工业级封装标准，便于在各种 PCB 设计中集成，并具备良好的散热性能。
　　此外，该芯片支持 TTL 和 CMOS 兼容输入输出接口，能够与多种控制器或处理器无缝连接。其数据保持电压低于正常工作电压，在低电压状态下仍可保持数据完整性，适合用于需要断电保护或低电压恢复的系统设计。

该芯片广泛应用于需要高速数据存储和低功耗特性的设备中，如便携式电子产品、嵌入式控制系统、工业自动化设备、通信模块、网络设备、智能仪表、数据采集系统以及消费类电子产品等。其低功耗和高速性能也使其成为物联网（IoT）设备和远程传感系统中的理想选择。

IS62C256AL-45NLI、CY62148EALL-55ZS、AS6C256-55PCN、FM25V256-G、EM623125TS-55