时间：2025/9/1 19:24:43
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GM76C256CLT55 是一款由 GSI Technology 生产的高速、低功耗的 CMOS 静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为 256K 位（32K x 8），采用异步设计，适用于需要快速数据访问和高可靠性的应用场景。该型号工作电压为 5V，具备高速访问时间，典型访问时间为 55ns。
容量: 256K 位（32K x 8）
组织结构: 32K x 8
工作电压: 5V
访问时间: 55ns（最大）
工作温度范围: 工业级（-40°C 至 +85°C）
封装类型: 52 引脚 TSOP
接口类型: 异步
功耗: 典型电流约 100mA（待机模式下低于 10mA）
高速访问时间：GM76C256CLT55 提供 55ns 的访问时间，支持快速的数据读写操作，适用于对速度要求较高的系统应用。
低功耗设计：该芯片在待机模式下的电流消耗极低，有助于延长电池供电设备的续航时间，并减少系统散热需求。
CMOS 技术：基于 CMOS 制造工艺，具有高抗干扰性和稳定性，适合在各种工业和通信环境中使用。
异步接口：异步 SRAM 无需时钟同步信号，简化了电路设计，提高了系统的灵活性和兼容性。
工业级温度支持：支持 -40°C 至 +85°C 的工作温度范围，适用于工业自动化、网络设备、测试仪器等严苛环境中的应用。
该芯片广泛应用于工业控制设备、通信模块、网络路由器和交换机、测试测量仪器、嵌入式系统、数据采集设备等需要高速、低功耗存储的场合。其异步接口和高可靠性也使其适用于航空航天、安防监控等高端领域。
CY7C199-55PC、IDT71V416SA55B、IS61LV256AL-55
