型号：XQR17V16CK44V
　　制造商：Infineon Technologies
　　产品系列：XQR
　　存储类型：SRAM
　　存储容量：17 Mbit
　　组织结构：2M x 8 或 1M x 16
　　访问时间：15 ns
　　工作电压：3.3 V ±10%
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装类型：44-pin Ceramic QFP (CQFP)
　　辐射耐受性：TID up to 300 krad(Si), SEL immune
　　认证等级：QML-V, MIL-PRF-38535
　　接口类型：异步并行接口
　　读写模式：异步读写
　　功耗（典型值）：待机≤5 mW，操作≤300 mW
　　抗辐射特性：抗SEU、抗SEL、抗SET

XQR17V16CK44V 的核心特性之一是其卓越的抗辐射能力，这使其成为深空探测、近地轨道卫星及战略武器系统中不可或缺的关键组件。该器件通过使用特殊的硅锗（SiGe）工艺和体硅（Bulk Silicon）抗闩锁设计，在面对高能粒子撞击时能够有效防止单粒子闩锁（SEL）事件的发生，并将单粒子翻转（SEU）的发生率降至极低水平。其总电离剂量（TID）耐受能力达到 300 krad(Si)，远超一般商业或工业级器件的标准，确保在长时间太空任务中不会因累积辐射损伤而导致性能退化或失效。此外，该芯片经过严格的筛选和测试流程，包括 burn-in、温度循环、辐射测试等，保证每一批次产品的高度一致性与长期可靠性。
　　在电气性能方面，XQR17V16CK44V 提供了高速异步访问能力，典型访问时间为 15 ns，支持最大约 66 MHz 的数据吞吐速率，适用于实时数据缓存和高速指令执行场景。其双配置数据接口（可配置为 2M x 8 或 1M x 16 模式）增强了系统设计的灵活性，允许工程师根据具体需求优化总线宽度与地址空间布局。芯片支持低功耗运行模式，在待机状态下静态电流极低，有助于延长航天器电池寿命或降低热管理负担。
　　封装方面，44 引脚陶瓷 Quad Flat Package 不仅具备优异的热稳定性和机械强度，还能在真空、微重力和强烈振动环境下保持可靠的电气连接。该封装符合 MIL-STD-883 标准的机械与环境测试要求，适用于焊接安装或引线键合工艺。同时，器件内部集成错误检测与纠正（EDAC）辅助电路支持路径，便于外部 ECC 逻辑实现，进一步提升数据完整性保障能力。整体而言，XQR17V16CK44V 在极端环境适应性、功能稳健性和系统集成度方面均表现出色，是高可靠性嵌入式系统中的理想选择。

XQR17V16CK44V 主要应用于对可靠性、稳定性和抗干扰能力要求极为严苛的高端领域。最典型的应用场景包括航天器上的星载计算机系统，其中该 SRAM 芯片用于存储飞行控制程序、传感器采集数据以及通信协议缓冲信息。由于其出色的抗辐射性能，它被广泛部署于地球同步轨道（GEO）、低地球轨道（LEO）和深空探测任务中的有效载荷与姿态控制系统中，确保在强辐射带（如范艾伦带）穿越过程中不会发生数据损坏或系统崩溃。
　　在军事电子系统中，XQR17V16CK44V 常见于战术导弹制导系统、机载雷达信号处理单元、电子战（EW）设备和潜艇导航系统。这些系统通常需要在短时间内完成大量数据的快速读写操作，同时必须抵御核爆产生的瞬态电磁脉冲（EMP）和电离辐射影响。该芯片的高速访问能力和抗单粒子效应特性使其能够在复杂电磁环境中维持正常运行。
　　此外，该器件也适用于地面高可靠性基础设施，例如核电站安全控制系统、高能物理实验装置（如粒子加速器控制终端）以及极地科考站远程监控系统。在这些应用场景中，极端温度变化、长期无人值守运行和潜在的辐射暴露风险都对元器件提出了极高要求。XQR17V16CK44V 凭借其全面的环境适应性和长生命周期支持，成为这些关键系统的首选存储解决方案。其 QML-V 认证也意味着它可以被纳入美国国防部合格产品清单（QPL），便于用于政府和军工采购项目。

XQR17V16CG44V
　　XQVR17V16CG44S
　　UT17V16CC44