时间：2025/9/2 6:16:05
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GM76C256CLLFW-70DR 是由 GSI Technology 生产的一款高速异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为256K位（32K x 8）。该芯片采用高性能CMOS技术制造，具备高速访问时间和低功耗特性，适用于需要快速数据存取的工业控制、通信设备和嵌入式系统等应用。
容量：256K 位（32K x 8）
电压：3.3V
访问时间：70ns
封装：52-TSOP
温度范围：工业级 (-40°C 至 +85°C)
接口类型：并行异步接口
数据宽度：8位
工作模式：异步静态RAM
封装尺寸：约18.4mm x 12.0mm
输入/输出电平：兼容TTL和CMOS
GM76C256CLLFW-70DR 是一款高性能、低功耗的异步SRAM芯片，具有以下显著特性：
首先，其高速访问时间为70纳秒，能够满足对数据读写速度要求较高的应用场景，例如工业控制、网络设备、测试仪器和嵌入式系统等。这种高速性能确保了系统在运行过程中能够快速响应并处理数据，提高整体效率。
其次，该芯片采用3.3V电源供电，相较于传统5V SRAM，功耗更低，适用于对功耗敏感的系统设计。此外，其CMOS工艺进一步降低了静态功耗，有助于延长电池供电设备的使用时间。
再者，GM76C256CLLFW-70DR 采用52引脚TSOP封装，体积小巧，适合在空间受限的PCB设计中使用。同时，其支持工业级温度范围（-40°C 至 +85°C），确保在恶劣环境下仍能稳定运行，增强了系统的可靠性。
该芯片还具备标准的并行异步接口，与常见的SRAM控制器兼容，简化了系统设计并提高了开发效率。此外，其具备数据保持模式，可以在低功耗状态下保持数据不丢失，适用于需要待机功能的系统应用。
总体而言，GM76C256CLLFW-70DR 是一款适用于多种工业和通信应用的高性能SRAM芯片，具备高速、低功耗、高可靠性和小封装等优势，是许多嵌入式系统和数据存储模块的理想选择。
GM76C256CLLFW-70DR 适用于多种需要高速数据存储的场合，包括工业控制系统、通信设备、网络路由器、测试测量仪器、医疗设备、图像处理模块以及嵌入式系统等。其高速访问时间和低功耗特性使其在需要频繁读写操作的环境中表现出色。
ISSI IS62C256ALBLL-70NLI, Cypress CY62256NLL-70SNXC, Microchip 23K256-I/P
