CIG21E2R2MNE 时间：2025/11/12 19:14:23 阅读：16

CIG21E2R2MNE是一款由KEMET（现属于Yageo集团）生产的多层陶瓷芯片电容器（MLCC）。该器件属于C0G（NP0）电介质系列，具有出色的电气稳定性、极低的信号失真以及几乎不受温度、电压和时间影响的电容值。它采用标准的0805（2012公制）封装尺寸，额定电容为2.2pF，额定电压为25V DC，适用于高频、高稳定性和高可靠性要求的应用场景。CIG21E2R2MNE广泛用于射频（RF）电路、滤波器、振荡器、匹配网络以及精密模拟系统中。由于其C0G电介质特性，该电容器在全温度范围（-55°C至+125°C）内电容变化不超过±30ppm/°C，且无微音效应或直流偏压导致的容量下降问题，因此是高性能电路设计中的理想选择。此外，该器件符合RoHS指令，并支持回流焊工艺，适合自动化表面贴装生产流程。

参数

电容：2.2pF
　　额定电压：25V DC
　　电介质：C0G (NP0)
　　电容容差：±0.1pF
　　封装尺寸：0805 (2.0mm x 1.25mm)
　　温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度系数：0 ±30ppm/°C
　　工作电压频率特性：优异，几乎无衰减
　　绝缘电阻：≥100GΩ 或 RxC ≥ 10000MΩ·μF
　　损耗因数（DF）：≤0.1%
　　耐焊接热：符合IEC 60068-1
　　RoHS合规性：是

特性

CIG21E2R2MNE所采用的C0G（也称为NP0）电介质材料是一种Class I陶瓷，具备极高的电气稳定性与线性响应特性。这种材料的晶体结构在宽温度范围内保持高度一致，因而电容值不会随环境温度发生显著漂移。其温度系数仅为0 ±30ppm/°C，在-55°C到+125°C的工作区间内，电容变化可忽略不计，远优于X7R、X5R等Class II介质。这一特性使其非常适合用于对频率稳定性要求严苛的LC谐振电路、压控振荡器（VCO）、锁相环（PLL）以及高Q值滤波器设计中。此外，C0G介质不表现出铁电效应，因此不存在直流偏置下电容下降的现象，也不会因机械应力产生微音效应（microphonics），避免了音频噪声耦合到信号路径的问题。
　　该器件的电容容差控制在±0.1pF，精度极高，满足精密匹配和微调需求。在高频应用中，其低等效串联电阻（ESR）和低损耗因数（DF ≤ 0.1%）确保了最小的能量损耗和信号衰减，有助于提升电路效率与信噪比。同时，其良好的频率响应特性使得即使在GHz频段仍能维持稳定的阻抗表现，适用于射频前端模块、天线调谐单元和高速数字系统的去耦设计。结构上，CIG21E2R2MNE为多层构造，通过交错堆叠内电极实现小体积下的高性能，配合端电极为镍阻挡层加锡覆盖，具备优良的可焊性和长期可靠性。整体设计支持无铅回流焊工艺，并通过严格的环境测试验证，包括高温高湿偏压、温度循环和寿命试验，确保在恶劣工况下的持续稳定运行。

应用

CIG21E2R2MNE因其高稳定性、低损耗和精确电容值，主要应用于对性能一致性要求极高的电子系统中。典型使用场景包括射频识别（RFID）设备中的谐振电容、无线通信模块（如Wi-Fi、蓝牙、Zigbee）的匹配网络元件、移动终端的前端模组滤波电路、基站射频单元的耦合与旁路电容。在测试与测量仪器领域，该器件常被用于高频探头、示波器输入级、信号发生器的LC振荡回路中，以保证输出频率的长期稳定性和测量精度。此外，在医疗电子设备、航空航天及工业控制系统中，当涉及精密模拟信号调理或时钟生成时，CIG21E2R2MNE也是优选的去耦和定时电容之一。其不受电压波动影响的特性还使其适用于有源滤波器、ADC/DAC参考电压缓冲电路以及高分辨率传感器接口电路中。由于其无微音效应，也可用于高保真音频放大器的反馈网络，防止机械振动转化为可闻噪声。总之，凡是在需要长期可靠、温度不变、电压无关且低失真的电容特性的场合，CIG21E2R2MNE都是一种理想的选择。