时间：2025/9/1 14:22:15
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GM76C256BLLT-85 是一款由 Gcore Semiconductor（芯炽科技）生产的低功耗 CMOS 静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件具有 256Kbit 的存储容量，组织结构为 32K x 8 位，适用于需要高速数据访问和低功耗的应用场景。该芯片采用先进的 CMOS 工艺制造，具备高速、低功耗和高可靠性等特点。
容量：256Kbit
组织结构：32K x 8 位
工作电压：2.3V 至 3.6V
最大访问时间：85ns
封装类型：TSOP
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
待机电流：10mA（典型值）
工作电流：180mA（典型值）
GM76C256BLLT-85 是一款高性能、低功耗的 SRAM 存储器芯片，广泛应用于嵌入式系统、通信设备、消费电子、工业控制等对存储速度和稳定性有较高要求的场合。
该芯片采用 CMOS 工艺制造，具有较高的抗干扰能力和稳定性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适合工业级环境应用。
其最大访问时间为 85ns，支持高速数据读写操作，满足大多数实时控制系统的需求。此外，该芯片的待机电流非常低，有助于降低系统整体功耗，提高能效。
在电源管理方面，GM76C256BLLT-85 支持宽电压范围（2.3V 至 3.6V），适应多种电源设计需求，并具有良好的电源噪声抑制能力，确保数据在复杂电磁环境中依然稳定可靠。
该芯片采用 TSOP 封装形式，体积小巧，便于 PCB 布局和安装，适合高密度电路设计。同时，其封装材料符合 RoHS 环保标准，适用于绿色电子产品制造。
适用于工业控制设备、网络通信模块、手持终端设备、智能仪表、汽车电子、数据采集系统等领域。
IS62C256ALB-85NLI、CY62148EVLL-85ZS、M25P64-VME6G、W25Q64JVSSIA
