GM76C256BLLT-85 是一款由 Gcore Semiconductor(芯炽科技)生产的低功耗 CMOS 静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件具有 256Kbit 的存储容量,组织结构为 32K x 8 位,适用于需要高速数据访问和低功耗的应用场景。该芯片采用先进的 CMOS 工艺制造,具备高速、低功耗和高可靠性等特点。
容量:256Kbit
组织结构:32K x 8 位
工作电压:2.3V 至 3.6V
最大访问时间:85ns
封装类型:TSOP
工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
待机电流:10mA(典型值)
工作电流:180mA(典型值)
GM76C256BLLT-85 是一款高性能、低功耗的 SRAM 存储器芯片,广泛应用于嵌入式系统、通信设备、消费电子、工业控制等对存储速度和稳定性有较高要求的场合。
该芯片采用 CMOS 工艺制造,具有较高的抗干扰能力和稳定性,能够在较宽的温度范围内稳定工作,适合工业级环境应用。
其最大访问时间为 85ns,支持高速数据读写操作,满足大多数实时控制系统的需求。此外,该芯片的待机电流非常低,有助于降低系统整体功耗,提高能效。
在电源管理方面,GM76C256BLLT-85 支持宽电压范围(2.3V 至 3.6V),适应多种电源设计需求,并具有良好的电源噪声抑制能力,确保数据在复杂电磁环境中依然稳定可靠。
该芯片采用 TSOP 封装形式,体积小巧,便于 PCB 布局和安装,适合高密度电路设计。同时,其封装材料符合 RoHS 环保标准,适用于绿色电子产品制造。
适用于工业控制设备、网络通信模块、手持终端设备、智能仪表、汽车电子、数据采集系统等领域。
IS62C256ALB-85NLI、CY62148EVLL-85ZS、M25P64-VME6G、W25Q64JVSSIA