时间：2025/9/1 11:13:44
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GM76C256BLLFW-55是一款由GSI Technology公司生产的高性能静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为256K位（32K x 8）。这款SRAM芯片采用先进的CMOS工艺制造，具有高速、低功耗和高可靠性等优点，广泛应用于网络通信、工业控制、汽车电子和消费类电子产品中。该器件采用LLP（Leadless Leadframe Package）封装形式，具有较小的封装尺寸，适合高密度电路设计。
存储容量：256K bits (32K x 8)
电源电压：2.3V - 3.6V
最大访问时间：55ns
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：LLP
引脚数量：52
输入/输出接口：并行
最大工作频率：约18MHz
静态电流（待机电流）：最大10mA（典型值）
GM76C256BLLFW-55 SRAM芯片采用了先进的CMOS技术，提供了高速的数据访问能力和低功耗运行特性。其最大访问时间为55ns，支持快速的数据读取操作，适用于对时序要求较高的系统设计。该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V，使其兼容多种电源管理系统，同时也能够在宽电压范围内保持稳定的工作性能。此外，该芯片支持工业级温度范围（-40°C至+85°C），适合在各种恶劣环境下运行。
该器件的LLP封装形式提供了优良的热性能和电气性能，减少了PCB的占用空间，提高了整体系统集成度。芯片内部集成了地址和数据缓冲器，确保了数据传输的稳定性。此外，它还支持芯片使能（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE）等多种控制信号，便于与各种微控制器和系统总线进行接口连接，提高了设计的灵活性。
GM76C256BLLFW-55 SRAM芯片广泛应用于需要高速存储和可靠性的电子系统中。常见的应用包括工业控制设备、通信设备（如路由器和交换机）、汽车电子系统、测试测量仪器、数据采集系统以及消费类电子产品。由于其宽电压和宽温度范围的支持，它特别适合于需要在不同环境条件下稳定工作的系统。该芯片也可用于高速缓存、临时数据存储以及需要频繁读写操作的嵌入式系统。
IS61LV256ALFW-55, CY62148EVLLFW-55, IDT71V416SAFW-55, A6216FLLFW-55
