容量：128K x 16
　　数据宽度：16位
　　电压：3.3V
　　封装：TSOP
　　温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　访问时间：5.4ns
　　工作频率：最大可达166MHz
　　输入/输出电平：LVTTL兼容
　　封装尺寸：54引脚

GM71VS65163CLT-6具有多项显著特性。首先，其高速访问时间（5.4ns）和高频率支持（166MHz）使其非常适合用于需要快速数据处理的系统中。其次，该芯片采用低电压（3.3V）供电，有效降低功耗并减少热量产生，有助于提高系统的能效和稳定性。此外，其LVTTL输入/输出电平兼容性使其能够轻松集成到多种设计中，而无需额外的电平转换器。
　　该DRAM芯片的128K x 16位存储结构提供了较大的数据存储能力，适用于缓存、帧缓冲和高速数据缓冲等应用场景。其TSOP封装形式不仅节省空间，还提供了良好的散热性能，适用于紧凑型电子设备。同时，工业级温度范围（-40°C至+85°C）确保其在恶劣环境下的稳定运行，适用于工业控制、通信设备和嵌入式系统等应用场景。

该芯片广泛应用于需要高速存储器支持的电子系统中。典型应用包括工业控制设备、通信模块、嵌入式系统、视频采集与显示设备、网络设备以及各种需要高速缓存或数据缓冲的场合。由于其高可靠性和宽温度范围，GM71VS65163CLT-6也常用于户外设备和工业自动化系统中。此外，该芯片也可用于测试设备、医疗成像系统和高端消费类电子产品中，作为临时数据存储单元。

ISSI IS65LV12816A-6T、Alliance AS7C3128A-6TC、Cypress CY7C1041CV33-6ZSAXC、Micron MT48LC16M1A2B4-6A