时间：2025/6/3 9:13:44
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DMN2027USS 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用小型表面贴装封装 (SOT-23)。该器件具有低导通电阻和高开关速度，非常适合用于便携式设备、电源管理模块以及信号切换等应用。
该 MOSFET 的设计使其在低压环境下的表现尤为突出，能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.4A
导通电阻（典型值）：50mΩ
栅极电荷：3nC
总电容（输入电容）：160pF
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23
DMN2027USS 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻确保高效的功率传输，减少能量损耗。
2. 高速开关能力支持高频应用。
3. 小型 SOT-23 封装节省电路板空间，适合紧凑型设计。
4. 宽工作温度范围使其能够在恶劣环境下稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代电子制造需求。
DMN2027USS 广泛应用于以下领域：
1. 便携式电子设备中的负载开关。
2. 电池供电设备中的电源管理。
3. 各类 DC/DC 转换器及电压调节模块。
4. 信号切换与保护电路。
5. 手机、平板电脑及其他消费类电子产品中的功率控制部分。
DMN2027SF, DMN2027UF, BSS138
