时间：2025/9/1 13:28:08
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GM71VS18163BLT-6 是一款由 GSI Technology 生产的高速、低功耗、双端口静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为 18Mb，组织形式为 512K x 36 位。该芯片支持两个独立的端口，允许同时访问存储器的不同地址，适用于需要高带宽和低延迟的通信、网络和工业控制应用。该器件采用先进的 CMOS 工艺制造，提供高性能和可靠性，工作温度范围为工业级（-40°C 至 +85°C）。
容量：18Mb
组织结构：512K x 36 位
电源电压：2.3V - 3.6V
最大访问时间：6.0 ns
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：165-TQFP
接口类型：异步双端口
功耗：典型电流 250 mA（待机模式下低至 10 mA）
数据保持电压：最小 2.0V
GM71VS18163BLT-6 是一款高性能的异步双端口 SRAM，专为需要高速数据访问和并发操作的应用而设计。其双端口架构允许两个系统或处理器同时访问不同的存储地址，极大提升了数据吞吐能力。该芯片支持真正的零等待时间读写操作，适用于实时数据缓冲和交换场景。
该器件采用低功耗设计，在待机模式下功耗极低，适合电池供电或节能要求较高的系统。此外，其宽工作电压范围（2.3V 至 3.6V）增强了与各种主控系统的兼容性。CMOS 工艺的使用不仅提高了器件的稳定性，也增强了抗干扰能力。
在封装方面，GM71VS18163BLT-6 使用 165 引脚 TQFP 封装，便于在 PCB 上布局和焊接。其数据保持电压低至 2.0V，可在系统断电时保持数据完整性，适合用于关键数据保存的应用场景。
该芯片具备可配置的输出使能控制和片选信号，支持多种系统接口配置，提高了设计的灵活性。
GM71VS18163BLT-6 广泛应用于通信基础设施（如路由器和交换机）、工业控制系统、测试测量设备、嵌入式系统和网络处理器等需要高速、低延迟内存的场合。其双端口特性使其特别适合用于多处理器系统中的共享内存，或在图像处理、高速缓存和数据缓冲等应用场景中发挥关键作用。
IDT71V18163SA6B, CY7C18163AV18, IS61WV18163BLL-6TLI
