时间：2025/9/2 6:57:31
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GM71V18163CT-6DR 是由 GSI Technology 生产的一款高速、低功耗的异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片采用高性能CMOS工艺制造，适用于需要高速数据存储和访问的应用场景。其容量为18Mb（512K x 36位），支持异步工作模式，具备高性能和高可靠性的特点，广泛应用于通信设备、工业控制、网络设备和嵌入式系统等领域。
容量：18Mb (512K x 36位)
电源电压：3.3V
访问时间：6ns
工作温度范围：工业级 (-40°C 至 +85°C)
封装类型：165-TQFP
接口类型：异步
数据宽度：36位
读取电流：典型值 200mA
待机电流：最大 10mA
GM71V18163CT-6DR 是一款专为高速和低功耗应用设计的异步SRAM芯片。其主要特点包括高速访问时间（6ns）和低工作电压（3.3V），能够在高频率下稳定运行，适合对速度和功耗都有严格要求的设计。芯片内部采用高性能CMOS技术，不仅提高了稳定性，还降低了漏电流，从而显著减少了功耗。
此外，该芯片支持异步接口，不需要时钟信号进行同步，简化了电路设计并提高了系统的灵活性。其36位宽的数据总线允许一次读取或写入大量数据，提高了数据吞吐能力。封装方面，165-TQFP 封装提供了良好的散热性能和空间利用率，适合紧凑型PCB布局。
GM71V18163CT-6DR 被广泛应用于各种高性能嵌入式系统和工业电子设备中。例如，在通信设备中，该芯片可作为高速缓存存储器，用于临时存储数据包和转发信息，确保通信过程中的数据处理效率。在工业控制系统中，它可以用于实时数据存储和处理，提高系统的响应速度和稳定性。
CY7C18163DV36-6A, IDT71V18163S166B, AS7C18163A-6TC, IS64WV18163EBLL-6BLI
