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GM71V18163CT-6DR 发布时间 时间:2025/9/2 6:57:31 查看 阅读:8

GM71V18163CT-6DR 是由 GSI Technology 生产的一款高速、低功耗的异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片采用高性能CMOS工艺制造,适用于需要高速数据存储和访问的应用场景。其容量为18Mb(512K x 36位),支持异步工作模式,具备高性能和高可靠性的特点,广泛应用于通信设备、工业控制、网络设备和嵌入式系统等领域。

参数

容量:18Mb (512K x 36位)
  电源电压:3.3V
  访问时间:6ns
  工作温度范围:工业级 (-40°C 至 +85°C)
  封装类型:165-TQFP
  接口类型:异步
  数据宽度:36位
  读取电流:典型值 200mA
  待机电流:最大 10mA

特性

GM71V18163CT-6DR 是一款专为高速和低功耗应用设计的异步SRAM芯片。其主要特点包括高速访问时间(6ns)和低工作电压(3.3V),能够在高频率下稳定运行,适合对速度和功耗都有严格要求的设计。芯片内部采用高性能CMOS技术,不仅提高了稳定性,还降低了漏电流,从而显著减少了功耗。
  此外,该芯片支持异步接口,不需要时钟信号进行同步,简化了电路设计并提高了系统的灵活性。其36位宽的数据总线允许一次读取或写入大量数据,提高了数据吞吐能力。封装方面,165-TQFP 封装提供了良好的散热性能和空间利用率,适合紧凑型PCB布局。

应用

GM71V18163CT-6DR 被广泛应用于各种高性能嵌入式系统和工业电子设备中。例如,在通信设备中,该芯片可作为高速缓存存储器,用于临时存储数据包和转发信息,确保通信过程中的数据处理效率。在工业控制系统中,它可以用于实时数据存储和处理,提高系统的响应速度和稳定性。

替代型号

CY7C18163DV36-6A, IDT71V18163S166B, AS7C18163A-6TC, IS64WV18163EBLL-6BLI

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