容量：288Kb（16K x 18）
　　电压：3.3V
　　访问时间：7ns
　　工作温度：工业级（-40°C至+85°C）
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　数据宽度：18位
　　存储结构：异步SRAM
　　功耗：典型值500mA

GM71V18163CLT-7是一款高性能异步SRAM芯片，具备高速数据访问能力，其访问时间仅为7ns，使其适用于对时间要求极高的系统。该芯片的工作电压为3.3V，符合现代低功耗设计的需求，同时能够在宽温度范围内稳定运行（-40°C至+85°C），适用于各种严苛的工业环境。
　　芯片内部采用CMOS技术，不仅提供了高抗干扰能力，还有效降低了功耗。在待机模式下，其功耗进一步减少，适合需要长时间运行的设备。此外，该SRAM芯片不依赖刷新电路，数据存储稳定可靠，适用于需要快速读写和数据保持的场合。
　　54引脚TSOP封装设计使其易于集成到PCB板上，支持表面贴装工艺，提高了电路设计的灵活性和可靠性。该芯片的18位数据宽度支持更宽的数据传输路径，适合用于高性能嵌入式系统、数据缓冲和高速缓存等应用场景。

GM71V18163CLT-7广泛应用于需要高速数据存储和快速访问的电子系统中。在通信设备中，该芯片可用于缓存高速传输的数据流，提高数据处理效率。在网络设备中，如路由器和交换机，GM71V18163CLT-7可用于临时存储路由表或交换表，确保数据包的快速转发。
　　在工业控制领域，该SRAM芯片可作为高速缓存，用于存储关键的控制参数和实时数据，提高系统响应速度。此外，在图像处理设备、测试仪器和测量系统中，该芯片可用于存储临时计算结果和高速图像数据，满足对存储速度和稳定性的高要求。
　　该芯片也适用于高端嵌入式系统、FPGA开发板和数字信号处理器（DSP）系统，作为高速数据存储单元，提高整体系统性能。由于其高可靠性和宽温度范围，该芯片还适用于航空航天、军事电子和车载控制系统等对稳定性要求极高的应用场合。

CY7C1816KV-7B, IDT71V18163SA-7B, IS61LV18163A-7T