GM71V18163CJ-6 时间：2025/9/2 7:57:34 阅读：17

GM71V18163CJ-6 是一款由GSI Technology公司生产的高速静态随机存取存储器（SRAM），其容量为18Mb（512K x 36），采用高速CMOS工艺制造。这款SRAM芯片适用于需要高性能和低延迟存储解决方案的应用场合，例如网络设备、通信系统和高性能计算设备。该芯片采用CMOS技术，具备低功耗、高速存取和高可靠性等特点，同时兼容多种主流接口标准。

参数

容量：18Mb
　　组织结构：512K x 36
　　供电电压：3.3V
　　访问时间：6ns
　　封装类型：165-FBGA
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　接口类型：异步SRAM接口
　　功耗：典型值约为1.5W

特性

GM71V18163CJ-6 SRAM芯片采用了先进的CMOS工艺，具备高速访问能力，访问时间仅为6ns，使其适用于对延迟敏感的系统。其容量为18Mb，并采用512K x 36的组织方式，适合存储宽数据总线应用，例如图像处理、高速缓存和网络路由设备。芯片支持异步操作，能够灵活适配不同的系统时序要求。此外，其工作电压为3.3V，功耗较低，在高性能应用中具有良好的能效表现。
　　该芯片采用165引脚FBGA封装，有助于减少PCB空间占用，并提供良好的散热性能。工业级温度范围确保其在恶劣环境下仍能稳定运行，适用于各种工业和通信应用。GM71V18163CJ-6还具备高可靠性和长使用寿命，适用于对系统稳定性要求较高的场景。

应用

GM71V18163CJ-6 SRAM芯片主要应用于高性能通信设备、路由器、交换机、网络处理器、数字信号处理器（DSP）、工业控制系统、测试测量设备以及嵌入式系统中。其高速存取能力和低延迟特性使其特别适用于需要快速数据访问的缓冲存储器和高速缓存应用场景。此外，其大容量和宽数据总线结构也使其适用于视频处理、图形加速和高性能计算系统中的临时数据存储需求。