时间：2025/8/6 7:28:07
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IXTA02N250HV 是由 IXYS 公司生产的一款高电压 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高压、高频开关应用设计，广泛应用于电源转换器、电机控制、逆变器、UPS（不间断电源）系统以及各种工业控制设备中。IXTA02N250HV 采用了先进的高压技术，具备优异的导通和开关性能，能够在高电压条件下保持稳定的运行。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压 VDS：2500V
漏极电流 ID（连续）：2A（Tc=25℃）
漏极电流 ID（脉冲）：8A
导通电阻 RDS(on)：3.5Ω（最大）
栅极阈值电压 VGS(th)：4.5V（最小）
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-247AC
最大功耗 PD：43W
IXTA02N250HV 具备多项优异的电气特性和可靠性设计，适用于高电压和高频率的开关应用。其最大漏源电压可达 2500V，能够在极端高压环境下稳定工作。该器件的导通电阻 RDS(on) 最大为 3.5Ω，确保在导通状态下损耗较低，从而提高整体系统效率。
此外，IXTA02N250HV 的栅极阈值电压为 4.5V，能够与标准的栅极驱动电路兼容，便于集成到各种功率电子系统中。该 MOSFET 的漏极电流能力在连续工作状态下为 2A，脉冲电流能力可达 8A，使其能够在瞬态负载条件下保持稳定。
该器件采用 TO-247AC 封装，具备良好的散热性能和机械强度，适合在高温和高功率密度环境下使用。工作温度范围从 -55℃ 到 +150℃，表明其具有优异的环境适应能力，适用于各种工业和恶劣环境下的应用。
IXTA02N250HV 还具备快速开关能力，降低了开关损耗，有助于提高系统的整体能效。同时，其低栅极电荷和低输出电容特性也进一步优化了高频应用中的性能。
IXTA02N250HV 常用于高压电源转换系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、UPS 系统、电机驱动器和工业自动化控制设备中。由于其高耐压能力和良好的开关性能，该器件也非常适合用于光伏逆变器、高压 LED 驱动器、电焊机电源以及高压测试设备等特殊应用场合。
IXTP02N250HV, IXTH02N250HV, IRGPC40K, FGA25N120ANTD
