时间：2025/9/1 13:10:18
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GM71V18163AT-8 是由GSI Technology生产的一款高速、低功耗的异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件具有16384 x 18位的存储容量，适用于需要高性能数据存储和快速访问的系统应用，如网络设备、通信基础设施和工业控制设备。该SRAM支持异步操作，具备宽电压范围和多种封装形式，适用于不同的设计需求。
容量：16384 x 18位
电源电压：2.3V - 3.6V
最大访问时间：8ns
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
封装类型：TQFP
输入/输出接口：异步
功耗：典型值为120mA（待机模式下低于10mA）
数据保持电压：1.5V（用于低功耗数据保持）
GM71V18163AT-8是一款高性能异步SRAM芯片，具备高速存取能力，最大访问时间仅为8ns，能够满足对数据处理速度要求较高的应用需求。其支持宽电压范围供电（2.3V至3.6V），提高了在不同系统设计中的兼容性与灵活性。此外，该芯片具备低功耗特性，在待机模式下电流消耗低于10mA，非常适合对功耗敏感的应用场景。
该芯片支持异步操作模式，无需系统时钟同步，简化了接口设计并提高了系统的兼容性。同时，其数据保持电压最低可降至1.5V，可在系统断电或低功耗模式下保持数据完整性，延长系统可靠性。
GM71V18163AT-8采用TQFP封装，符合工业级温度范围（-40°C至+85°C），适用于严苛环境下的应用，如工业自动化、通信基站、网络交换设备等。
GM71V18163AT-8广泛应用于需要高速、低功耗存储的嵌入式系统和工业设备中。典型应用包括网络路由器和交换机的缓存、通信设备的数据缓冲、工业控制系统的临时数据存储、高性能嵌入式处理器的外部存储扩展等。由于其宽电压范围和异步接口特性，该芯片也非常适合用于需要与多种处理器或控制器进行灵活连接的设计场景。
IS61WV18163AG-8FFI, CY7C18163AV2-8BZC, IDT71V18163SA8TG
