GM71V18160CJ-6 是一款由GSI Technology公司生产的高速、低功耗的静态随机存取存储器(SRAM)芯片,属于异步SRAM类别。该芯片具有18位数据总线和16K地址深度,适用于需要高速数据访问和高可靠性的应用场合。其封装形式为54引脚SOJ(Small Outline J-Lead),适合在工业级温度范围内运行。
容量:18K x 16位
访问时间:5.4 ns
电源电压:3.3V
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
封装类型:54引脚SOJ
数据总线宽度:18位
地址线数量:14条(支持16K地址)
最大工作频率:约185 MHz
功耗:典型值1.2W(运行模式)
高速访问:GM71V18160CJ-6 提供5.4 ns的访问时间,适用于高性能数据缓存和高速缓冲存储器应用。
低功耗设计:该芯片在高速运行时仍保持较低的功耗,适合对能效有要求的系统设计。
异步SRAM架构:无需时钟信号,简化了电路设计,降低了时序控制的复杂性。
高可靠性:采用工业级制造工艺,确保在各种环境条件下稳定运行。
宽温度范围:可在-40°C至+85°C的温度范围内正常工作,适用于工业自动化、通信设备和嵌入式系统等恶劣环境应用。
18位数据宽度:支持更宽的数据传输,提高系统数据吞吐能力,适用于图像处理、数据缓冲等场景。
该芯片广泛应用于工业控制设备、网络通信设备、图像处理系统、数据采集与处理设备、高速缓存系统以及需要快速数据存取的嵌入式系统中。
ISSI IS61LV10248ALB4A-6T、Cypress CY7C1041CV33-6ZSXE、Renesas IDT71V124SA166BQI、Alliance AS7C1025A-6TC