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GM71V17403CJ-6 发布时间 时间:2025/9/1 20:35:06 查看 阅读:15

GM71V17403CJ-6 是由国家半导体(现为 Texas Instruments)推出的一款高性能异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件采用高速CMOS工艺制造,适用于需要快速存取和低功耗的应用场景。其容量为17位 x 4096 x 2,支持独立的字和位线控制,适用于高性能计算系统中的高速缓存、图形处理缓存和通信设备中的数据缓冲等应用。

参数

容量:17位 x 4096 x 2
  访问时间:6ns
  电源电压:3.3V
  工作温度范围:商业级0°C至70°C或工业级-40°C至85°C
  封装类型:常见的为TQFP或LQFP封装
  最大存取时间:6ns
  读电流(典型值):100mA
  待机电流:10mA以下
  输入/输出逻辑电平:兼容LVTTL/LVCMOS

特性

GM71V17403CJ-6 是一款高性能的SRAM,其主要特点包括高速存取时间(6ns),能够在高频环境下稳定工作。该芯片支持独立的字和位线控制,使得在多处理器系统中可以实现更灵活的数据管理。其CMOS工艺提供了低功耗运行的优势,在待机模式下电流消耗极低,有助于延长设备的电池寿命。此外,该SRAM芯片具备宽温度范围的工作能力,支持商业级和工业级温度范围,适用于各种严苛的环境条件。其I/O接口兼容LVTTL/LVCMOS标准,便于与多种控制器和系统平台进行连接。
  在可靠性方面,该芯片具备较强的抗干扰能力和稳定性,适用于工业控制、通信设备、嵌入式系统等高性能场景。封装形式多为TQFP或LQFP,便于表面贴装,提高生产效率和系统集成度。此外,该芯片还具备良好的热稳定性,能够在高负载条件下保持正常运行。

应用

GM71V17403CJ-6 广泛应用于需要高速数据访问的系统中,如网络路由器和交换机中的数据缓存、工业控制系统的高速缓存、嵌入式系统的临时数据存储、通信设备中的协议处理缓存、图像处理设备的帧缓存以及高性能计算模块中的本地存储器。此外,该芯片也适用于测试设备、测量仪器和自动化控制设备中对响应速度有较高要求的场景。

替代型号

IDT71V17403S133BQGI, CY7C17403V-6, AS7C17403CJ6TR

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