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PDTA114EM,315 发布时间 时间:2025/9/14 4:48:52 查看 阅读:5

PDTA114EM,315 是一款由Nexperia(原Philips Semiconductor)生产的NPN型双极性晶体管(BJT),其集成了一个基极电阻,适用于数字和开关应用。该器件采用SOT23封装,具有紧凑的尺寸和优异的性能,在便携式电子设备和嵌入式系统中广泛应用。

参数

类型:NPN晶体管
  封装类型:SOT23
  最大集电极-发射极电压(VCEO):50V
  最大集电极电流(IC):100mA
  最大功耗(PD):300mW
  增益带宽积(fT):100MHz
  电流增益(hFE):110~800(根据等级划分)
  基极电阻:47kΩ
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C

特性

PDTA114EM,315晶体管具有多个关键特性,使其在数字电路和开关应用中表现出色。首先,该器件的内置基极电阻降低了外部电路设计的复杂性,减少了PCB布线的难度,并有助于简化驱动电路。其次,其NPN结构和较高的电流增益(hFE)范围允许其在小信号放大和开关电路中实现高效率。PDTA114EM,315的工作电压范围宽,集电极-发射极电压最大可达50V,适用于多种电源管理场景。此外,其SOT23封装形式不仅体积小巧,还具有良好的热性能和可靠性,非常适合高密度电路设计。由于采用了先进的硅外延平面技术,该晶体管在高频工作下仍能保持稳定的性能,最高工作频率可达100MHz。最后,该器件符合RoHS环保标准,广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域。

应用

PDTA114EM,315晶体管适用于多种电子应用,包括但不限于:数字逻辑电路中的开关元件、小型电机驱动电路、LED和继电器控制、电源管理模块、传感器信号调节、音频放大电路以及通用低功率放大和开关应用。由于其集成了基极电阻,它特别适合用于微控制器或逻辑电路输出信号的放大或隔离。此外,该晶体管也常用于电池供电设备、便携式电子产品以及对空间要求较高的嵌入式系统设计中。

替代型号

PDTA114EU,315; PNP互补型号如PDTA143EM,315; BC817系列; 2N3904; MMBT3904

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PDTA114EM,315参数

  • 标准包装10,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)10k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)30 @ 5mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)150mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)1µA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大250mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-101,SOT-883
  • 供应商设备封装SOT-883
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称568-2100-2934057182315PDTA114EM T/R