容量：16MB
　　类型：DRAM
　　封装类型：54针TSOP
　　访问时间：6ns
　　电源电压：3.3V
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　数据宽度：16位
　　时钟频率：最大166MHz
　　封装尺寸：标准TSOP尺寸
　　存储架构：动态存储单元
　　数据保持时间：64ms

GM71C18163CT-6DR的高速特性使其在数据处理和存储应用中表现出色。该芯片采用了先进的CMOS技术，具有低功耗的特点，适合需要节能设计的应用场景。其54针TSOP封装方式，确保了芯片在PCB上的稳定安装，并提高了抗干扰能力。
　　该芯片支持异步和同步操作模式，提供更高的灵活性和兼容性。同步模式下，芯片能够与系统时钟同步工作，提升整体系统的数据传输效率。此外，GM71C18163CT-6DR具备较高的集成度，能够在有限的空间内提供较大的存储容量，适用于高密度电路设计。
　　该DRAM芯片的工作温度范围符合工业级标准（-40°C至+85°C），能够在恶劣环境下稳定运行，适用于工业控制、通信设备、医疗设备等对可靠性要求较高的应用场景。同时，其3.3V的电源电压设计，降低了功耗，减少了热量产生，有助于提升设备的稳定性和使用寿命。

GM71C18163CT-6DR广泛应用于需要高性能存储的电子设备中，例如个人电脑、服务器、嵌入式系统、工业控制设备、通信设备、医疗仪器等。由于其高速访问时间和低功耗特性，该芯片也常用于图形处理、视频编码/解码、数据缓存等对存储性能要求较高的场景。此外，它还适用于需要长期稳定运行的工业设备，如自动化控制系统、智能交通系统等。

IS42S16100E-6BLI，CY7C1021CV-10ZSXI，IDT71V124SA90PFG