时间：2025/9/2 7:38:56
阅读：22
GM71C18163CT-6 是由GSI Technology公司生产的一款高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，属于异步SRAM类别。该芯片具有18位的数据宽度和16384字的存储容量，总共有256K位的存储空间。它广泛应用于需要快速读写操作的场合，如网络设备、通信系统、工业控制和高性能计算设备。GM71C18163CT-6采用先进的CMOS工艺制造，能够在高速运行的同时保持较低的功耗。该芯片通常采用54引脚塑料封装（如TSOP或SOJ），适用于商业级和工业级工作温度范围。
容量：256K位
组织结构：16384 x 18位
电源电压：3.3V 或 5V（具体取决于型号后缀）
访问时间：6ns（最大）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C（工业级）或 0°C 至 70°C（商业级）
封装类型：54引脚 TSOP 或 SOJ
数据宽度：18位
读写操作：异步
功耗（典型值）：待机电流低至10mA
封装尺寸：根据具体封装形式而定
GM71C18163CT-6是一款高性能异步SRAM，具有6ns的访问时间，适用于高速缓存和实时系统等对速度要求较高的应用场景。其18位宽的数据总线支持并行数据处理，提高系统吞吐能力。
该芯片采用低功耗CMOS技术，在保持高速运行的同时实现了节能，适用于电池供电或对功耗敏感的设备。
其异步接口设计无需时钟同步，简化了电路设计，降低了系统复杂度。
支持异步读写操作，具备灵活的控制信号（如CE#、OE#、WE#），便于与各种微处理器和控制器连接。
具备高可靠性和稳定性，适用于工业控制、通信基础设施、测试设备等要求苛刻的环境。
GM71C18163CT-6 SRAM芯片适用于需要高速存储和低延迟访问的场合，如：
? 网络交换设备和路由器的数据缓存
? 工业控制系统中的高速数据存储
? 高速图像处理和视频缓冲
? 测试与测量设备中的临时数据存储
? 嵌入式系统中的高速缓存或主存储器
? 高性能计算设备的中间数据缓存
ISSI IS61C18163-6TLLI, Cypress CY62167DV30LL-60BVXI, IDT71V12163SA-6B, Renesas/IDT CY62167DV30LL-60BVI
