GM71C18160CT-6是一款由GSI Technology公司制造的高性能异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件采用先进的CMOS技术制造,具有高速、低功耗和高可靠性等优点,适用于需要快速数据访问的场合,如网络设备、通信系统、工业控制设备和嵌入式系统等。这款SRAM芯片的容量为18Mb(512K x 36位),采用标准的并行接口设计,支持异步操作,适用于多种高性能应用环境。
容量:18Mb(512K x 36位)
电源电压:3.3V或2.5V
访问时间:6ns
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
封装类型:165引脚TQFP
数据保持电压:1.5V(最低)
最大待机电流:10mA(典型值)
读取电流(最大):500mA
封装尺寸:23mm x 23mm
GM71C18160CT-6 SRAM芯片具备多项优异特性,使其在高性能系统设计中具有广泛应用。首先,其高速访问时间为6ns,能够满足对数据访问速度有严格要求的应用场景。该芯片采用低功耗CMOS工艺,不仅在活跃工作状态下功耗较低,在待机模式下电流消耗也极低,典型值仅为10mA,有助于延长电池供电设备的使用时间。
其次,该SRAM芯片提供18Mb的存储容量,采用512K x 36位的组织结构,适合需要高带宽数据存储的应用,如数据缓存、高速缓冲存储器等。其支持异步读写操作,兼容多种标准异步总线协议,便于与FPGA、DSP、微处理器等控制器进行接口连接。
此外,GM71C18160CT-6采用165引脚TQFP封装,具有良好的散热性能和机械稳定性,适用于工业级工作温度范围(-40°C至+85°C),确保在恶劣环境下仍能稳定运行。芯片还具备数据保持功能,在低电压(最低1.5V)下仍能保持数据不丢失,提高了系统的可靠性和容错能力。
该芯片广泛应用于需要高速、低功耗和可靠数据存储的嵌入式系统和工业设备中。例如,它可作为网络交换机和路由器的高速缓存,用于临时存储数据包信息;也可在通信设备中作为DSP或FPGA的外部存储器,用于高速数据处理和缓存。在工业控制系统中,GM71C18160CT-6可用于存储关键运行数据、配置信息或实时采集的数据,确保系统在断电或异常重启时仍能快速恢复工作状态。
此外,该SRAM芯片还适用于测试测量设备、医疗成像系统、航空航天电子设备等对存储性能和可靠性要求较高的领域。由于其异步接口兼容性强,也常用于传统并行总线架构的升级设计,为系统提供更高的存储带宽和更低的功耗。
ISSI IS61WV102436BLL-6TFI、Cypress CY7C1380D-6A1XIT、Micron MT55L51236A2B4-6A