类型：异步SRAM
　　容量：1Mb（128K x 8）
　　组织结构：128K x 8位
　　访问时间：7ns
　　电源电压：3.3V
　　封装形式：TSOP（薄型小外形封装）
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　数据输入/输出：8位并行
　　读写控制信号：CE#, OE#, WE#
　　封装引脚数：54
　　封装尺寸：根据具体封装形式有所不同

GM71C17403C-7具有多项高性能特性，使其在众多SRAM器件中脱颖而出。首先，它具备7ns的访问时间，确保了快速的数据读写能力，适用于对延迟敏感的实时系统。该芯片采用标准的8位并行数据接口，支持高速数据传输，便于与微处理器、控制器和其他数字电路进行连接。此外，其工作电压为3.3V，符合现代低电压系统的设计要求，在保证性能的同时降低了功耗。
　　该器件采用CMOS工艺制造，具有低待机电流和良好的抗干扰能力，适用于需要长时间运行的高稳定性系统。TSOP封装形式不仅节省空间，而且便于散热，适用于高密度PCB设计。其工业级温度范围（-40°C至+85°C）使其能够在各种严苛环境下稳定运行。
　　GM71C17403C-7还具备完整的控制信号，包括芯片使能（CE#）、输出使能（OE#）和写使能（WE#），支持灵活的读写操作模式，方便系统设计者进行时序控制和存储器管理。此外，该芯片的可靠性高，具有较长的使用寿命，适用于对数据完整性要求较高的应用场合。

GM71C17403C-7广泛应用于需要高速存储器访问和低延迟数据处理的领域。例如，在网络设备中，该SRAM可用于缓存高速数据流、存储路由表或处理实时数据包信息。在通信系统中，它可以作为高速缓冲存储器，用于优化数据传输效率和提升系统性能。此外，在工业控制、自动化设备和测试仪器中，该器件可用于临时存储数据、运行程序或作为高速缓存提高处理速度。
　　由于其低功耗和高稳定性，GM71C17403C-7也常用于嵌入式系统和实时控制系统，如工业PLC、医疗设备和高端消费类电子产品。在需要频繁读写操作的场合，例如视频处理、图形加速和数据采集系统中，该芯片同样表现出色，能够满足对性能和可靠性的高要求。

ISSI IS61LV10248ALLB4-7TLI, Cypress CY62148EGL35ZSXI, Renesas IDT71V124SA90B, Alliance AS7C31026EC32BCTR, ATO 71V124SA90PC