时间：2025/6/30 13:03:41
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SQM110N04-02L-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，采用 PDFN3333 封装。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种高效功率转换应用。其典型应用场景包括同步整流、DC-DC 转换器、负载开关以及电池保护等电路设计。
这款 MOSFET 的主要特点是能够在高频工作条件下保持较低的功耗，同时提供出色的热性能表现，使其成为便携式设备及空间受限应用的理想选择。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：110A
导通电阻（Rds(on)）：1.2mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：8nC（典型值）
总电容：265pF（输入电容）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：PDFN3333
SQM110N04-02L-GE3 具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效降低导通损耗，提高系统效率。
2. 高额定电流能力（110A 连续漏极电流），适合大电流应用环境。
3. 快速开关特性，确保在高频操作中表现出色。
4. 出色的热稳定性，支持高温环境下长期可靠运行。
5. 小型化封装（PDFN3333），有助于节省 PCB 空间，满足现代电子设备小型化需求。
6. 宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +175°C），适应各种严苛的工作条件。
SQM110N04-02L-GE3 广泛应用于以下领域：
1. 同步整流电路中的功率开关元件。
2. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流管。
3. 负载开关和 OR-ing 应用，用于实现高效的电源管理。
4. 电池保护电路中的理想开关元件。
5.，提供稳定且高效的功率输出控制。
6. 消费类电子产品和工业设备中的功率管理模块。
SQM110N04-02L-G, SQM110N04-02L-GE
