时间：2025/9/1 19:02:31
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GM71C16160CJ6是一款由GSI Technology公司生产的高性能、低功耗的CMOS静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件设计用于需要高速数据访问和低延迟的高性能系统，例如网络设备、通信设备、工业控制系统和嵌入式系统。这款SRAM芯片采用了先进的制造工艺，以确保在高频率下稳定运行，同时保持较低的功耗。它是一款异步SRAM，具有16位的数据总线宽度，非常适合需要快速读写操作的应用。
存储容量：256K x 16位
电源电压：3.3V
访问时间：5.4ns（最大）
工作温度范围：商业级（0°C至70°C）
封装类型：54引脚TSOP（Thin Small Outline Package）
数据总线宽度：16位
读取电流：典型值250mA（在143MHz下）
待机电流：最大值10mA
封装尺寸：54-TSOP
接口类型：并行异步接口
GM71C16160CJ6具有多项高性能特性，使其在高速存储应用中表现出色。首先，其5.4ns的访问时间确保了快速的数据读写能力，适用于要求高带宽的系统。该芯片的工作电压为3.3V，有助于降低整体功耗，并且在待机模式下仅消耗极低的电流，适用于对功耗敏感的应用。
该器件采用了CMOS技术，提供了高噪声免疫性和稳定性，确保在各种工作条件下都能可靠运行。此外，其54引脚TSOP封装设计不仅节省了PCB空间，还提高了散热性能，适合在高密度电路设计中使用。
GM71C16160CJ6支持异步操作，允许灵活的时序控制，便于与各种微处理器和控制器接口连接。其并行数据总线宽度为16位，能够提供较大的数据吞吐量，适合需要快速数据交换的系统。另外，该芯片在设计上具有良好的抗干扰能力和稳定性，能够在高温环境下正常运行，适用于工业和通信设备。
GM71C16160CJ6广泛应用于需要高速、低延迟存储的系统中。例如，在网络设备中，它可以作为缓存存储器用于高速数据包处理；在通信设备中，该芯片可用于存储实时数据和缓冲信息；在工业控制系统中，它可作为临时存储器用于数据交换和状态保存。此外，该SRAM芯片也适用于测试设备、测量仪器、嵌入式系统以及高性能计算模块，满足对数据存取速度和稳定性有高要求的应用场景。
ISSI IS61LV25616-5T, Cypress CY62148BLL-55BV3I, Renesas IDT71V128SA55PFG, Microchip SST39LF1681-55-4I-P8
