时间：2025/8/28 7:13:06
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GM5WA06260A 是一款由Giantec Semiconductor（巨积半导体）生产的高效能、低电压N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的沟槽技术，优化了导通电阻与开关性能之间的平衡，使其适用于各种高效率、高密度的电源管理系统。GM5WA06260A 采用5引脚DFN5x6封装，具备良好的散热性能，适用于需要紧凑设计和高电流能力的应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：60V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：26A
导通电阻(RDS(on))：6.2mΩ @ VGS=10V
功率耗散(PD)：45W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：DFN5x6
GM5WA06260A MOSFET采用了先进的沟槽式功率MOSFET结构，具有较低的导通电阻（RDS(on)），在VGS=10V时典型值为6.2mΩ。这种低导通电阻可以显著降低导通损耗，提高电源转换效率。该器件支持高达26A的连续漏极电流，适合高功率密度应用。其DFN5x6封装不仅体积小巧，便于在空间受限的设计中使用，而且具备良好的热管理能力，能够有效散热，提高系统稳定性。
此外，GM5WA06260A的栅极驱动电压范围较宽，支持±20V的栅源电压，确保在各种驱动条件下都能可靠工作。其最大漏源电压为60V，适用于中低压电源转换应用，如DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统、负载开关等。由于采用了先进的硅工艺，该器件具有良好的开关特性，开关损耗较低，有助于提升整体能效。
在可靠性方面，GM5WA06260A的工作温度范围为-55°C至+150°C，适应多种极端工作环境。其封装设计符合RoHS环保标准，适合绿色电子产品的制造要求。此外，该器件还具备较强的抗静电能力和热稳定性，能够在高负载和频繁开关的条件下保持长期稳定运行。
GM5WA06260A广泛应用于多种电源管理领域，包括但不限于同步整流、DC-DC降压/升压转换器、负载开关、电机驱动器、电池充电系统、服务器电源、工业自动化设备、LED照明驱动以及各种便携式电子设备的电源管理模块。由于其高电流能力和低导通电阻特性，特别适合用于高效率、高密度的开关电源设计。
SiR142DP-T1-GE3, IRF7493TRPBF, FDS6680, AO4407A
