GM5WA06200Z 是一款由东芝(Toshiba)推出的功率MOSFET器件,属于MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的一种,适用于高频率开关应用。该器件采用先进的沟槽式(Trench)MOSFET技术,具有低导通电阻和快速开关特性,适合用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制等高效率功率应用。该器件采用SOP(Small Outline Package)封装,适用于表面贴装技术,具备良好的散热性能。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):60V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):20A
导通电阻(Rds(on)):最大6.2mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装类型:SOP
GM5WA06200Z 具备多项优异的电气和热性能,适用于高效率功率转换应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术,显著降低了导通电阻(Rds(on)),从而减少了导通损耗,提高了系统效率。其最大导通电阻为6.2mΩ,在高电流应用中能够有效降低功率损耗,减少发热。
该MOSFET支持高达20A的连续漏极电流,适用于中高功率应用,如电源管理、同步整流、负载开关和电机驱动电路。其60V的漏源电压额定值使其能够在多种DC-DC转换器拓扑中使用,如降压(Buck)、升压(Boost)和反激式转换器。
此外,该器件的栅源电压额定值为±20V,具备较高的栅极耐压能力,适用于PWM控制电路,确保在高频开关条件下仍能稳定运行。其SOP封装设计支持表面贴装工艺,具有良好的散热性能,有助于提高整体系统的可靠性。
在热管理方面,GM5WA06200Z 的封装设计优化了热阻,使得在高负载条件下仍能保持较低的工作温度,延长器件寿命并提升系统稳定性。
GM5WA06200Z 主要用于需要高效能功率转换和控制的各类电子设备中。典型应用场景包括但不限于:电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、马达驱动电路、LED照明驱动器、电池管理系统(BMS)、工业自动化设备以及消费类电子产品中的电源管理模块。
由于其高电流承载能力和低导通电阻特性,该器件特别适合用于同步整流电路中,提升转换效率。在电源管理应用中,它可用于高边或低边开关,实现对负载的精确控制。此外,在马达控制和驱动电路中,GM5WA06200Z 可用于H桥电路,实现正反转控制及制动功能。
在现代电子设备中,随着对能效和小型化设计的需求日益增加,GM5WA06200Z 凭借其高效率、小尺寸和优良的热性能,成为许多高性能电源解决方案中的理想选择。
SiR142DP-T1-GE3, IPP062N06N3G4S-ATMA, FDS6680, AO4407A