类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：20A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大6.2mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOP

GM5WA06200Z 具备多项优异的电气和热性能，适用于高效率功率转换应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。其最大导通电阻为6.2mΩ，在高电流应用中能够有效降低功率损耗，减少发热。
　　该MOSFET支持高达20A的连续漏极电流，适用于中高功率应用，如电源管理、同步整流、负载开关和电机驱动电路。其60V的漏源电压额定值使其能够在多种DC-DC转换器拓扑中使用，如降压（Buck）、升压（Boost）和反激式转换器。
　　此外，该器件的栅源电压额定值为±20V，具备较高的栅极耐压能力，适用于PWM控制电路，确保在高频开关条件下仍能稳定运行。其SOP封装设计支持表面贴装工艺，具有良好的散热性能，有助于提高整体系统的可靠性。
　　在热管理方面，GM5WA06200Z 的封装设计优化了热阻，使得在高负载条件下仍能保持较低的工作温度，延长器件寿命并提升系统稳定性。

GM5WA06200Z 主要用于需要高效能功率转换和控制的各类电子设备中。典型应用场景包括但不限于：电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、马达驱动电路、LED照明驱动器、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备以及消费类电子产品中的电源管理模块。
　　由于其高电流承载能力和低导通电阻特性，该器件特别适合用于同步整流电路中，提升转换效率。在电源管理应用中，它可用于高边或低边开关，实现对负载的精确控制。此外，在马达控制和驱动电路中，GM5WA06200Z 可用于H桥电路，实现正反转控制及制动功能。
　　在现代电子设备中，随着对能效和小型化设计的需求日益增加，GM5WA06200Z 凭借其高效率、小尺寸和优良的热性能，成为许多高性能电源解决方案中的理想选择。

SiR142DP-T1-GE3, IPP062N06N3G4S-ATMA, FDS6680, AO4407A